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J-GLOBAL ID：200902125189277155   Reference number：03A0083995

Roles of Si Irradiation during the Growth Interruption on GaN Film Qualities in Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy.

プラズマ支援分子ビームエピタクシーにおけるGaN膜の質に成長中断中のSi照射が及ぼす影響

Author (5)： SHEN X-Q (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  CHO H-K (Dong-A Univ., Busan, KOR) ,  IDE T (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  SHIMIZU M (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 41  Issue： 12B  Page： L1428-L1430  Publication year： Dec. 15, 2002 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (16)：

• 1) S. Strite and H. Morkoc: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>10</B> (1992) 1237.
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• 3) A. Sakai, H. Sunakawa and A. Usui: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2259.
• 4) S. Tanaka, M. Takeuchi and Y. Aoyagi: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L831.
• 5) S. Sakai, T. Wang, Y. Morishima and Y. Naoi: J. Cryst. Growth 221 (2000) 334.

Terms in the title (8)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  GaN ,  質 ,  成長 ,  中断 ,  Si