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J-GLOBAL ID：200902130322030463   Reference number：01A0700106

Passivation of Deep Levels in 3C-SiC on Si by a Hydrogen Plasma Treatment.

水素プラズマ処理によるSi上の3C-SiC中の深い準位の不動態化

Author (7)： KATO M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SOBUE F (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ICHIMURA M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ARAI E (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  YAMADA N (Toyota Central Res. and Dev. Lab. Inc., Aichi, JPN) ,  TOKUDA Y (Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN) ,  OKUMURA T (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 40  Issue： 4B  Page： 2983-2986  Publication year： Apr. 30, 2001 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *deep level ,...
Semi thesaurus term： plasma treatment

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JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Reference (9)：

• 1) S. J. Pearton, J. W. Corbett and M. Stavola: Hydrogen in Crystalline Semiconductor (Springer, Berlin, 1992).
• 2) K. Fukuda, S. Suzuki, T. Tanaka and K. Arai: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1585.
• 3) P. J. Macfarlane and M. E. Zvanut: Mat. Res. Soc. Symp. 513 (1998) 433.
• 4) F. Gendron, L. M. Porter, C. Porte and E. Bringuier: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1253.
• 5) N. Achtziger, J. Grillenberger, W. Witthuhn, M. K. Linnarsson, M. Janson and B. G. Svensson: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 945.

Terms in the title (5)： 水素プラズマ ,  Si ,  3C-SiC ,  深い準位 ,  不動態化