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J-GLOBAL ID：200902157085254748   Reference number：02A0621231

Study on In-Process Measurement of Silicon Wafer Surface Defects by Laser Scattered Defect Pattern. 2nd Report. Fast Defect Measurement Method using LSDP.

光散乱パターンを用いたシリコンウエハ加工表面欠陥のインプロセス計測に関する研究 (第2報) 高速欠陥計測法の提案

Author (4)： TAKAHASHI SATORU (大阪大 大学院工学研究科) ,  MIYOSHI TAKASHI (大阪大 大学院工学研究科) ,  TAKAYA YASUHIRO (大阪大 大学院工学研究科) ,  TATSUNO YASUFUMI (大阪大 大学院工学研究科)
Material： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
Volume： 68  Issue： 7  Page： 962-966  Publication year： Jul. 05, 2002 
JST Material Number： F0268A  ISSN： 0912-0289  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wafer ,...
Semi thesaurus term： 欠陥計測 ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Measuring methods and instruments of length,area,cross section,volume,angle  (AD05020O)

Reference (9)：

• LOCKE, B. R. Particle Sizing Uncertainties in Laser Scanning of Silicon Wafers. J. Electronchem. Soc. 1987, 134, 7, 1763
• HUFF, H. R. Measurement of Silicon Particles by Laser Surface Scanning and Angle-Resolved Light Scattering. J. Electronchem. Soc. 1997, 144, 1, 243
• 秋山伸幸. 精密工学会誌. 1989, 55, 2, 294
• 森勇藏. 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法の開発. 精密工学会誌. 1988, 54, 11, 100
• 井上晴行. レーザ光散乱法によるSiウエハ付着微粒子計測装置の開発. 精密工学会誌. 1997, 63, 8, 1117

Terms in the title (8)： 光散乱 ,  シリコンウエハ ,  表面欠陥 ,  インプロセス計測 ,  研究 ,  欠陥 ,  計測法 ,  提案