Art

J-GLOBAL ID：200902225529073970   Reference number：04A0085706

Ab initio Molecular Orbital Study on Hydrogen Radical Addition Reactions to Graphite Surface and Subsequent Initial Surface Process in Silane Plasma Chemical Vapor Deposition

グラファイト表面への水素ラジカル付加反応と続くシランプラズマ化学蒸着における初期表面過程の第一原理分子軌道研究

Author (5)： SATO K (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SHINAGAWA E (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  NAKAJIMA K (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAZAKI K (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KOINUMA H (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 42  Issue： 12  Page： 7478-7481  Publication year： Dec. 15, 2003 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *amorphous semiconductor ,...
Semi thesaurus term： *HOPG

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0085706&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Other noncatalytic reactions  (CB06070U)

Reference (17)：

• 1) M. Matsuse, M. Kawasaki and H. Koinuma: Proc. First World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Waikoloa, Hawaii, 1994, ed. by Dennis J. Flood (IEEE, New York) p.425.
• 2) M. Matsuse, S. Tsuboi, M. Kawasaki, H. Koinuma, M. Eguchi and H. Sakata: Phys. Rev. B 53 (1996) 12585.
• 3) R. Robertson, D. Hills, H. Chatham and A. Gallagher: Appl. Phys. Lett. 43 (1983) 544.
• 4) N. Itabashi, N. Nishiwaki, M. Magane, S. Naito, T. Goto, A. Matsuda, C. Yamada and E. Hirota: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) L505.
• 5) K. Miyazaki, K. Nakajima, K. Sato and H. Koinuma: Thin Solid Films 316 (1998) 134.

Terms in the title (10)： グラファイト ,  水素ラジカル ,  付加反応 ,  シラン ,  プラズマ化学蒸着 ,  初期 ,  過程 ,  第一原理 ,  分子軌道 ,  研究