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J-GLOBAL ID：200902229158988967   Reference number：08A0745423

Mechanisms of Effective Work Function Modulation of Metal/Hf-based High-k Gate Stacks

金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構

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Author (7)： WATANABE HEIJI (大阪大 大学院工学研究科) ,  KITA YUKI (大阪大 大学院工学研究科) ,  HOSOI TAKUJI (大阪大 大学院工学研究科) ,  SHIMURA TAKAYOSHI (大阪大 大学院工学研究科) ,  SHIRAISHI KENJI (筑波大 大学院数理物質科学研究科) ,  NARA YASUO (半導体先端テクノロジーズ) ,  YAMADA KEISAKU (早稲田大 ナノテクノロジー研)
Material： 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
Volume： 72nd  Page： 73-76  Publication year： Jul. 10, 2008 
JST Material Number： F0108B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MOS structure ,  *work function ,  insulating film ,  verification ,  dipole ,  vacancy ,  surface level ,  reduction (reaction) ,  configuration mixing ,  stability ,  electrode material ,  gate dielectric film ,  model verification
Semi thesaurus term： HfSiON ,  gate stack

JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Reference (6)：

• HOBBS, C. Tech. Digest VLSI Tech., 2003. 2003, 9
• CARTIER, E. Tech. Digest VLSI Tech., 2005. 2005, 230
• KOYAMA, M. Tech. Digest IEDM, 2004. 2004, 499
• SHIRAISHI, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, L1413
• SHIRAISHI, K. Tech. Digest IEDM, 2005. 2005, 43

Terms in the title (7)： 金属電極 ,  HF ,  高誘電率 ,  絶縁膜 ,  界面 ,  仕事関数 ,  変調