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J-GLOBAL ID：200902233949195682   Reference number：09A0809051

Photoluminescence Characteristics of InAs Quantum Dots with GaInP Cover Layer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

有機金属化学気相成長法によって成長させたGaInP被覆層を有するInAs量子ドットの光ルミネセンス特性

Author (6)： SENGOKU Tomoyuki (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SUZUKI Ryoichiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  NEMOTO Kosuke (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TANABE Satoru (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA Fumio (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAMOTO Tomoyuki (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 7,Issue 1  Page： 070203.1-070203.3  Publication year： Jul. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOCVD ,  compound semiconductor ,  *quantum dot ,  heterojunction ,  *indium arsenide ,  overlayer ,  indium compound ,  gallium compound ,  phosphide ,  *photoluminescence ,  emission spectrum ,  indium gallium arsenide ,  annealing(heat treatment) ,  lattice distortion ,  energy conversion efficiency
Semi thesaurus term： gallium indium phosphide ,  luminous efficiency

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (15)：

• R. P. Mirin, J. P. Ibbetson, K. Nishi, A. C. Gossard, and J. E. Bowers: Appl. Phys. Lett.67(1995)3795.
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• V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. Yu. Egorov, A. V. Lunev, B. V. Volovik, I. L. Krestnikov, Yu. G. Musikhin, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg: Appl. Phys. Lett.74(1999)2815.
• K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J.-S. Lee: Appl. Phys. Lett.74(1999)1111.
• N.-T. Yeh, T.-E. Nee, J.-I. Chyi, T. M. Hsu, and C. C. Huang: Appl. Phys. Lett.76(2000)1567.

Terms in the title (6)： 有機金属化学気相成長法 ,  成長 ,  GaInP ,  被覆層 ,  InAs量子ドット ,  光ルミネセンス