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J-GLOBAL ID：200902262201240987   Reference number：05A0978910

Effect of Silane Concentration on Structure of the Poly-Si Films Prepared at High Rates by Atmospheric Pressure Plasma CVD

大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH₄濃度の影響

Author (7)： OMI HIROMASA (大阪大 大学院工学研究科) ,  KAKIUCHI HIROAKI (大阪大 大学院工学研究科) ,  NAKAHAMA YASUJI (シャープ) ,  EBATA YUSUKE (シャープ) ,  YASUTAKE KIYOSHI (大阪大 大学院工学研究科) ,  YOSHII KUMAYASU (大阪大 大学院工学研究科) ,  MORI YUZO (大阪大 大学院工学研究科)
Material： 精密工学会誌(CD-ROM)  (精密工学会誌論文集)
Volume： 71  Issue： 11  Page： 1393-1398  Publication year： Nov. 05, 2005 
JST Material Number： F0268B  ISSN： 1348-8716  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (20)：

• SUBRAMANIAN, V. Controlled Two-Step Solid-Phase Crystallization for High-Performance Polysilicon TFT's. IEEE Electron Device Lett. 1997, 18, 378
• SUEMATSU, A. In situ hydrogen plasma treatment for improved transport of (400) oriented polycrystalline silicon films. Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2001, 66, 313
• SCHROPP, R. E. I. Poly-silicon films with low impurity concentration made by hot wire chemical vapour deposition. Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2001, 65, 541
• Study on low temperature faceting growth of polycrystalline silicon thin films by ECR downstream plasma CVD with different hydrogen dilution. Appl. Surf. Sci. 1999, 142, 316
• 近藤道雄. プラズマCVDを用いた低温ポリシリコンの高品質化と高速堆積技術. 信学技報. 2000, ED2000-2, 7

Terms in the title (5)： 大気圧プラズマ ,  CVD ,  多結晶 ,  Si薄膜 ,  SiH4