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J-GLOBAL ID：200902289217700118   Reference number：08A0548927

Effects of Traps Formed by Threading Dislocations on Off-State Breakdown Characteristics in GaN Buffer Layer in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors

AlGaN/GaNから成るヘテロ接合型電界効果トランジスタにおけるGaNバッファ層のオフ状態における絶縁破壊特性に及ぼす貫通転位によって形成されるトラップの効果

Author (11)： HINOKI Akihiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  KIKAWA Junjiroh (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  YAMADA Tomoyuki (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  TSUCHIYA Tadayoshi (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  KAMIYA Shinichi (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  KUROUCHI Masahito (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  KOSAKA Kenichi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKI Tsutomu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SUZUKI Akira (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN) ,  SUZUKI Akira (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 1  Issue： 1  Page： 011103.1-011103.3  Publication year： Jan. 25, 2008 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  compound semiconductor ,  *gallium nitride ,  *heterojunction ,  *junction FET ,  buffer layer ,  dielectric breakdown ,  silicon carbide ,  substrate (plate) ,  MOCVD ,  space charge limited current ,  trapping center ,  defect density ,  transmission electron microscope ,  electron microscopy ,  threading dislocation ,  aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： aluminium gallium nitride

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (18)：

• OKAMOTO, Y. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 2004, 52, 2536
• HASHIZUME, T. J. Vac. Sci. Technol. B. 2001, 19, 1675
• OH, C. S. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 12106
• POBLENZ, C. J. Vac. Sci. Technol. B. 2004, 22, 1145
• CHOI, Y. C. IEEE Trans. Electron Devices. 2006, 53, 2926

Terms in the title (10)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ ,  バッファ層 ,  オフ状態 ,  絶縁 ,  破壊特性 ,  貫通転位 ,  トラップ