Pat
J-GLOBAL ID:200903000094327704

半導体装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 筒井 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007144463
Publication number (International publication number):2008300587
Application date: May. 31, 2007
Publication date: Dec. 11, 2008
Summary:
【課題】半導体装置の放熱性を向上させる。【解決手段】樹脂封止型の半導体装置1において半導体チップ2を搭載するタブ3aが枠状に形成されている。この枠状のタブ3aは、半導体チップ2が平面的に重なる内周部と、半導体チップ2の周囲に位置する外周部とを一体的に有している。このタブ3aの外周部の幅は、タブ3aの内周部の幅よりも広くなっている。また、タブ3aの外周部には、タブ3aの主裏面間を貫通する開口部S1,S2が形成されている。これにより、半導体装置1の放熱性を向上させることができる。また、開口部S1,S2を設けたことにより、半導体装置1のリフロークラック耐性を向上させることができる。【選択図】図3
Claim (excerpt):
(a)厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第1主面および第2主面を有する枠状のチップ搭載部と、 (b)前記チップ搭載部に搭載された半導体チップと、 (c)前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、 (d)前記半導体チップの複数の電極を前記複数のリードに電気的に接続するボンディングワイヤと、 (e)前記半導体チップを封止する樹脂封止体とを備え、 前記チップ搭載部は、 前記半導体チップが平面的に重なる内周部と、 前記半導体チップの周囲に位置する外周部とを一体的に有しており、 前記チップ搭載部の内周から外周に向かう方向を第1方向とした場合に、 前記外周部の前記第1方向の寸法は、前記内周部の前記第1方向の寸法よりも広く、 前記外周部には、前記第1、前記第2主面間を貫通する開口部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1):
H01L 23/50
FI (1):
H01L23/50 U
F-Term (9):
5F067AA03 ,  5F067AA07 ,  5F067AB03 ,  5F067BD05 ,  5F067BE02 ,  5F067CC03 ,  5F067CC08 ,  5F067EA01 ,  5F067EA04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (23)
Show all

Return to Previous Page