半導体装置の作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007214664
Publication number (International publication number)：2008078634
Application date： Aug. 21, 2007
Publication date： Apr. 03, 2008
Summary：

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の回数を削減・簡略化する製造技術を提供し、スループットを向上させる。【解決手段】導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。エッチングマスクは、レーザビームを吸収する材料からなる光吸収層からなる。光吸収層に、フォトマスクを介して、レーザビームを照射し、光吸収層に吸収されたレーザビームのエネルギーによるレーザアブレーションを利用して、マスクを形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

被加工層を形成し、前記被加工層上に光吸収層を形成し、フォトマスクを介して前記光吸収層にレーザビームを照射して、前記光吸収層の照射領域を除去し、残存した前記光吸収層をマスクとして前記被加工層をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7)：

H01L 21/027 , H01L 21/302 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , G03F 7/20 , H01L 21/320 , H01L 21/28

FI (10)：

H01L21/30 572 , H01L21/302 201B , H01L29/78 627C , H01L29/78 612D , H01L21/30 569H , H01L21/30 502R , H01L21/30 529 , G03F7/20 521 , H01L21/88 B , H01L21/28 E

F-Term (185)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD66 , 4M104DD71 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF08 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F004AA04 , 5F004AA05 , 5F004AA16 , 5F004BB03 , 5F004DB00 , 5F004DB08 , 5F004EA03 , 5F004EA05 , 5F004EA10 , 5F004EA29 , 5F004EB02 , 5F033GG00 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH31 , 5F033HH35 , 5F033HH38 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ35 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK05 , 5F033LL04 , 5F033MM05 , 5F033PP06 , 5F033PP09 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033QQ01 , 5F033QQ07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ27 , 5F033QQ34 , 5F033QQ53 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX33 , 5F046BA03 , 5F046CA03 , 5F046JA27 , 5F046LB02 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ23 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK37 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL22 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ02 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開昭63-84789号公報
レジストおよびリソグラフィー方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-333986 Applicant：ハリソン東芝ライティング株式会社

Cited by examiner (16)

薄膜蝕刻方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-186193 Applicant：エルジー.フィリップスエルシーデーカンパニー,リミテッド
特開昭51-019975
特開昭58-048920

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