半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：林茂則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008334930
Publication number (International publication number)：2009177168
Application date： Dec. 26, 2008
Publication date： Aug. 06, 2009
Summary：

【課題】安価な、また、放熱特性に優れたSi基板を用いて、良質なGaAs系の結晶薄膜を得る。【解決手段】Siの基板と、基板の上に形成され、結晶成長を阻害する阻害層とを備え、阻害層は、基板の一部を覆う被覆領域と、被覆領域の内部に基板を覆わない開口領域とを有し、さらに開口領域に結晶成長されたGe層と、Ge層の上に結晶成長され、Pを含む3-5族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。当該半導体基板において、Ge層は、結晶欠陥が移動できる温度および時間でアニールされることにより形成されてよい。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

Siの基板と、前記基板の上に形成され、結晶成長を阻害する阻害層とを備え、前記阻害層は、前記基板の一部を覆う被覆領域と、前記被覆領域の内部に前記基板を覆わない開口領域とを有し、さらに前記開口領域に結晶成長されたGe層と、前記Ge層の上に結晶成長され、Pを含む3-5族化合物半導体層からなるバッファ層と、前記バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板。

IPC (2)：

H01L 21/20 , H01L 23/14

FI (2)：

H01L21/20 , H01L23/14 S

F-Term (27)：

5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL07 , 5F152LL09 , 5F152LL10 , 5F152LN03 , 5F152LN16 , 5F152LN17 , 5F152LN21 , 5F152LN32 , 5F152MM05 , 5F152MM07 , 5F152MM10 , 5F152MM11 , 5F152MM13 , 5F152NN03 , 5F152NN27 , 5F152NP04 , 5F152NP05 , 5F152NP06 , 5F152NP09 , 5F152NP12 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NP22 , 5F152NP23 , 5F152NQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

特開昭61-135115
GaAs層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-177559 Applicant：沖電気工業株式会社
特開平2-058322