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J-GLOBAL ID：200903042650783522

窒化物半導体層の形成方法とそれらの層を含む発光素子

Inventor：
高倉 輝芳

About 高倉 輝芳

, 
津田 有三

About 津田 有三


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002059065
Publication number (International publication number)：2003258381
Application date： Mar. 05, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：
【要約】【課題】 基板上に成長させられる窒化物半導体層においてクラックの発生を低減させた領域を形成し、さらにその領域上方に発光素子の電流狭窄部分を形成することによって信頼性の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 窒化物半導体層の形成方法は、基板100上において、少なくとも、窒化物半導体に含まれるIII族元素に対するAlの組成比xを有する窒化物半導体層103を成長させ、そのAl組成比xの窒化物半導体層103の表面から貫通した深さまでで選択された深さを有する複数の凹部を形成することによって複数の凹凸部を形成し、これら複数の凹凸部を被覆するようにAl組成比yの窒化物半導体層104を成長させる工程を含み、凹凸部の頂部におけるAl組成比xがAl組成比yより大きく、かつ凹凸部の底部におけるAl組成比zよりも大きいことを特徴としている。
Claim (excerpt)：
基板上において、少なくとも、窒化物半導体に含まれるIII族元素に対するAlの組成比xを有する窒化物半導体層を結晶成長させ、前記Al組成比xの窒化物半導体層の表面から貫通した深さまでで選択された深さを有する複数の凹部を形成することによって複数の凹凸部を形成し、前記複数の凹凸部を被覆するようにAl組成比yを有する窒化物半導体層を結晶成長させる工程を含み、前記凹凸部の頂部におけるAl組成比xが前記Al組成比yより大きく、かつ前記凹凸部の底部におけるAl組成比zよりも大きいことを特徴とする窒化物半導体層の形成方法。
F-Term (10)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (7)
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