磁気メモリ及びその書き込み方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：日向寺雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003092262
Publication number (International publication number)：2004303801
Application date： Mar. 28, 2003
Publication date： Oct. 28, 2004
Summary：

【課題】小さな電流でクロストークのない書き込みが可能な磁気メモリ及びその書き込み方法を提供することを目的とする。【解決手段】書き込み電流を構成する電子をスピン偏極させるスピン偏極手段(S)と、前記書き込み電流を構成する電子をホットエレクトロンにするホットエレクトロン生成手段(H)と、前記スピン偏極手段によりスピン偏極され、前記ホットエレクトロン生成手段によりホットエレクトロンにされた前記書き込み電流によって磁化(M)が反転される磁性層 (F)と、を備えたことを特徴とする磁気メモリを提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

書き込み電流を構成する電子をスピン偏極させるスピン偏極手段と、前記書き込み電流を構成する電子をホットエレクトロンにするホットエレクトロン生成手段と、前記スピン偏極手段によりスピン偏極され、前記ホットエレクトロン生成手段によりホットエレクトロンにされた前記書き込み電流によって磁化が反転される磁性層と、を備えたことを特徴とする磁気メモリ。

IPC (3)：

H01L27/105 , G11C11/15 , H01L43/08

FI (3)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 110 , H01L43/08 Z

F-Term (8)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA15 , 5F083HA06 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

磁化制御方法、情報記憶方法、磁気機能素子および情報記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-119589 Applicant：ソニー株式会社
磁性体トンネル接合素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-092034 Applicant：株式会社東芝
スピン伝導素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-267626 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (4)

磁化制御方法、情報記憶方法、磁気機能素子および情報記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-119589 Applicant：ソニー株式会社
磁性体トンネル接合素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-092034 Applicant：株式会社東芝
スピン伝導素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-267626 Applicant：株式会社東芝

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