半導体デバイスの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三俣弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999356873
Publication number (International publication number)：2000311899
Application date： Dec. 16, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】サブミクロンのデザインルールの半導体集積回路の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体デバイスの製造方法は、A:半導体基板1上に導電層3を堆積するステップと、B:前記導電層3上にハードマスク層5を堆積するステップと、C:前記ハードマスク層5上に厚さが0.86μm以下のホトレジスト層7を堆積するステップと、D:前記ホトレジスト層7をパターン化して前記ハードマスク層の一部を露出するステップと、E:前記ハードマスク層の露出した部分をハードマスク用エッチング剤でもってエッチングして前記導電層3の一部を露出するステップと、F:前記導電層3の露出した部分を金属用エッチング剤でエッチングするステップとからなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

(A) 半導体基板(1)上に、導電層(3)を堆積するステップと、(B) 前記導電層(3)上に、ハードマスク層(5)を堆積するステップと、(C) 前記ハードマスク層(5)上に、厚さが0.86μm以下のホトレジスト層(7)を堆積するステップと、(D) 前記ホトレジスト層(7)をパターン化して前記ハードマスク層の一部を露出するステップと、(E) 前記ハードマスク層の露出した部分をハードマスク用エッチング剤でもってエッチングして、前記導電層(3)の一部を露出するステップと、(F) 前記導電層(3)の露出した部分を金属用エッチング剤でエッチングするステップと、からなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3213 , H01L 21/28 , H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/88 D , H01L 21/28 F , H01L 21/302 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

Al系金属層のプラズマエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-008609 Applicant：ソニー株式会社
配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-143572 Applicant：ソニー株式会社
ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-198736 Applicant：ソニー株式会社

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