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J-GLOBAL ID：200903002240816928

III族窒化物結晶の製造方法

Inventor：
皿山 正二

About 皿山 正二

, 
山根 久典

About 山根 久典

, 
島田 昌彦

About 島田 昌彦


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008247344
Publication number (International publication number)：2009040683
Application date： Sep. 26, 2008
Publication date： Feb. 26, 2009
Summary：
【課題】高性能の発光ダイオードやLD等のデバイスを作製するために実用的な大きさで、かつ、低コスト,高品質のIII族窒化物結晶を成長させることの可能なIII族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置を提供する。【解決手段】混合融液保持容器102には、III族金属としてのGaとアルカリ金属としてのNaとから構成される混合融液103が収容されている。ここで、Naの純度が99%、Gaの純度が99.9999%、窒素ガスの純度が99.999%、混合融液保持容器102の材質が焼結体のBNの場合には、固体物110は一部に穴111が開いたような形状となる。その穴111を通して窒素が混合融液103中に溶け込むことにより、混合融液103中に、III族窒化物としてのGaNの単結晶109を結晶成長させることができる。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
所定の容器内において、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質との混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素から構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、混合融液の表面を混合融液内に窒素が導入可能な状態にして、III族窒化物を成長させることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
IPC (4)：
C30B 29/38 ,  C30B 19/02 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (4)：
C30B29/38 D ,  C30B19/02 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
F-Term (22)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CG01 ,  4G077CG06 ,  4G077EA06 ,  4G077EC08 ,  4G077EC09 ,  4G077EG05 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA34 ,  4G077QA52 ,  5F041AA42 ,  5F041CA40 ,  5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AR94
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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