低誘電率膜形成用組成物、低誘電率膜及びその製造方法、並びに半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：廣田浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002077381
Publication number (International publication number)：2003273099
Application date： Mar. 19, 2002
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：

【要約】【課題】高強度で低誘電率な膜を形成可能な低誘電率膜形成用組成物等の提供。【解決手段】下記一般式(1)で表されるアルコキシシランの加水分解生成物であるポリシロキサンと、放射線分解性化合物とを、少なくとも含有することを特徴とする低誘電率膜形成用組成物。【化1】XnSi(OR)4-n ・・・一般式(1)一般式(1)中、Xは、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基、及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。nは、0から3までの整数を表す。放射線分解性化合物の含有量が、ポリシロキサン100質量部に対し、0.1〜200質量部である態様、吸収極大波長が互いに異なる2種以上の放射線分解性化合物を含有する態様、分子サイズが互いに異なる2種以上の放射線分解性化合物を含有する態様、などが好ましい。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表されるアルコキシシランの加水分解生成物であるポリシロキサンと、放射線分解性化合物とを、少なくとも含有することを特徴とする低誘電率膜形成用組成物。【化1】XnSi(OR)4-n ・・・一般式(1)前記一般式(1)において、Xは、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基、及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。nは、0から3までの整数を表す。

IPC (2)：

H01L 21/312 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/312 C , H01L 21/90 S , H01L 21/90 Q , H01L 21/90 A

F-Term (39)：

5F033HH11 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ54 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR14 , 5F033RR23 , 5F033SS04 , 5F033SS21 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033XX01 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AG01 , 5F058AG09 , 5F058AG10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

絶縁膜形成方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-084133 Applicant：富士通株式会社
低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率シリカ系被膜付基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-214438 Applicant：触媒化成工業株式会社
有機ケイ素化合物からなる多孔質膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-298932 Applicant：三菱マテリアル株式会社, 大日本塗料株式会社

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