ナノ構造体およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：村瀬一美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006063410
Publication number (International publication number)：2007098563
Application date： Mar. 08, 2006
Publication date： Apr. 19, 2007
Summary：

【課題】細孔とセル径を制御可能とし、大面積基板に対して適用可能で、低コスト且つ簡易な装置によるナノ構造体を得る方法、及び該ナノ構造体を鋳型として金属ナノ構造体を得る方法及び金属ナノ構造体の提供。【解決手段】アルミニウム等の基体2を陽極酸化し、細孔拡大処理により孔径を拡大させたアルミナ皮膜3からなる多孔質酸化皮膜ナノ構造体1を鋳型とし、金属M2よりも酸化還元電位の低い金属M3のイオンを含む溶液に超音波をかけながら鋳型を浸漬して鋳型に金属イオンM3を担持させる工程、金属M2のイオンを含む溶液に超音波をかけながら金属イオンM3を担持した鋳型を浸漬して鋳型に金属M2のコロイドを担持させる工程、金属M1のイオン、還元剤及び平滑化剤を含む溶液に金属M2のコロイドを担持した鋳型を浸漬する無電解めっき工程、及び、酸化皮膜3を選択的にエッチング除去する工程とを含む方法により金属ナノ構造体4を得る。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ナノサイズの細孔を有するナノ構造体を鋳型とし、金属M2よりも酸化還元電位の低い金属M3のイオンを含む溶液に超音波をかけながら前記鋳型を浸漬して前記鋳型に金属イオンM3を担持させる工程と、前記金属イオンM3を担持した前記鋳型を希薄酸溶液に浸漬する工程と、前記金属M2のイオンを含む溶液に超音波をかけながら前記金属イオンM3を担持した前記鋳型を浸漬して前記鋳型に金属M2のコロイドを担持させる工程と、前記金属イオンM2のコロイドを担持した前記鋳型を希薄酸溶液に浸漬する工程と、金属M1のイオン及び還元剤を含み平滑化剤の濃度を50ppm以下とした溶液に前記金属M2のコロイドを担持した前記鋳型を浸漬する無電解めっき工程とを含むことを特徴とする金属ナノ構造体の製造方法。

IPC (11)：

B82B 3/00 , C23C 18/31 , B82B 1/00 , H01L 21/027 , C23C 18/18 , C25D 11/04 , C25D 11/26 , C25B 11/03 , B01J 35/10 , B01J 23/44 , C01B 3/00

FI (14)：

B82B3/00 , C23C18/31 Z , B82B1/00 , H01L21/30 502D , C23C18/18 , C25D11/04 302 , C25D11/26 A , C25D11/26 301 , C25D11/26 302 , C25D11/26 303 , C25B11/03 , B01J35/10 301Z , B01J23/44 M , C01B3/00 B

F-Term (64)：

4G140AA32 , 4G140AA36 , 4G140AA42 , 4G169AA03 , 4G169AA08 , 4G169BA01A , 4G169BA01B , 4G169BA02A , 4G169BA04A , 4G169BA05A , 4G169BB02A , 4G169BB02B , 4G169BC31A , 4G169BC32A , 4G169BC33A , 4G169BC35A , 4G169BC66A , 4G169BC67A , 4G169BC68A , 4G169BC70A , 4G169BC72A , 4G169BC72B , 4G169BC74A , 4G169BC75A , 4G169BC75B , 4G169CC40 , 4G169DA05 , 4G169EA07 , 4G169EC30 , 4G169FB11 , 4G169FB21 , 4K011AA01 , 4K011AA11 , 4K011AA29 , 4K011AA30 , 4K011AA48 , 4K011AA68 , 4K011DA11 , 4K022AA02 , 4K022AA37 , 4K022AA43 , 4K022BA01 , 4K022BA03 , 4K022BA06 , 4K022BA08 , 4K022BA09 , 4K022BA14 , 4K022BA18 , 4K022BA25 , 4K022CA05 , 4K022CA06 , 4K022CA07 , 4K022CA12 , 4K022CA15 , 4K022CA18 , 4K022CA21 , 4K022DA01 , 4K022DB02 , 4K022DB03 , 4K022DB04 , 4K022DB05 , 4K022DB07 , 4K022DB08 , 5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-290538 Applicant：キヤノン株式会社
ナノ構造体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-140182 Applicant：キヤノン株式会社
細孔の製造方法、並びに該製造方法により製造された細孔および該細孔を有する構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-344134 Applicant：キヤノン株式会社

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Cited by examiner (7)

ナノ構造体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-140182 Applicant：キヤノン株式会社
細孔の製造方法、並びに該製造方法により製造された細孔および該細孔を有する構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-344134 Applicant：キヤノン株式会社
特開昭61-106796

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