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J-GLOBAL ID:200903002769119297
多波長半導体レーザ素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005178480
Publication number (International publication number):2006351966
Application date: Jun. 17, 2005
Publication date: Dec. 28, 2006
Summary:
【課題】所定の波長帯で高反射率を実現することの可能な多波長半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】基板10上に、波長660nmのレーザ光を発振する第1素子部20Aと、波長780nmのレーザ光を発振する第2素子部20Bとを有する。第1素子部20Aおよび第2素子部20Bのそれぞれの前端面には前端面膜30が、後端面には後端面膜31がそれぞれ一括形成されている。後端面膜31は、後端面上に屈折率がn1の第1後端面膜32Aおよび屈折率がn2(>n1)の第2後端面膜32Bを1組とする層を1または複数積層して構成された第1反射膜32と、第1反射膜32上に屈折率がn3(≦n1)の第3後端面膜33Aおよび屈折率がn4(>n1)の第4後端面膜33Bを1組とする層を1または複数積層して構成された第2反射膜33とを有する。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
基板と、前記基板上に形成された第1波長のレーザ光を発振する第1素子部と、前記基板上に形成された第2波長のレーザ光を発振する第2素子部と、前記第1素子部および前記第2素子部のそれぞれの前端面に一括形成された前端面膜と、前記第1素子部および前記第2素子部のそれぞれの後端面に一括形成された後端面膜とを備え、
前記後端面膜は、前記後端面上に屈折率がn1の第1後端面膜および屈折率がn2(>n1)の第2後端面膜を1組とする層を1または複数積層して構成された第1反射膜と、前記第1反射膜上に屈折率がn3(≦n1)の第3後端面膜および屈折率がn4(>n1)の第4後端面膜を1組とする層を1または複数積層して構成された第2反射膜とを有する
ことを特徴とする多波長半導体レーザ素子。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (11):
5F173AA08
, 5F173AD06
, 5F173AH02
, 5F173AH06
, 5F173AL04
, 5F173AL05
, 5F173AL13
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP82
, 5F173AR12
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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消耗品の管理システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-257413
Applicant:シャープ株式会社
Cited by examiner (10)
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半導体レーザ装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-069820
Applicant:東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
-
半導体レ-ザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-202500
Applicant:東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
-
半導体レーザ装置およびその製造方法並びに光ディスク再生記録装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-009853
Applicant:シャープ株式会社
-
多波長半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-119631
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体レーザ素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-134941
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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半導体レーザ用高反射膜構造および半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-168399
Applicant:日本電信電話株式会社
-
半導体レーザ素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-360432
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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半導体レーザ装置の製造方法及び半導体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-295846
Applicant:三菱電機株式会社
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半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-268719
Applicant:松下電子工業株式会社
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半導体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-016266
Applicant:株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
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