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J-GLOBAL ID：200903049745070706

半導体レーザ装置およびその製造方法並びに光ディスク再生記録装置

Inventor：
蛭川 秀一

About 蛭川 秀一

, 
岸本 克彦

About 岸本 克彦


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002009853
Publication number (International publication number)：2003218452
Application date： Jan. 18, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】 発振波長が760nmより大きく800nmより小さくて、高信頼性、長寿命、かつ、高出力な半導体レーザ装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 共振器後端面近傍の領域において、断面略3角形状のストライプ形状のp-AlGaAs第二上クラッド層109、n-AlGaAs第一電流ブロック層112、n-GaAs第二電流ブロック層113およびp-GaAs平坦化層114およびp-GaAsキャップ層116でpnp接合を形成している。共振器前端面近傍のメサストライプ形状の第二上クラッド層109直上にはキャップ層110が設けられる。これにより、共振器後端面近傍の領域における多重歪量子井戸活性層105への注入電流密度は、他の領域における多重歪量子井戸活性層105への注入電流密度よりも低減される。
Claim (excerpt)：
GaAs基板上に、少なくとも、下クラッド層、夫々InGaAsPからなる井戸層および障壁層を有する量子井戸活性層、上クラッド層が積層されており、共振器前端面および共振器後端面に垂直な方向のストライプ状電流注入構造を有し、発振波長が760nmより大きく800nmより小さい半導体レーザ装置において、上記共振器前端面に低反射率コーティング膜を、上記共振器後端面に高反射率コーティング膜を設け、上記共振器後端面近傍の領域における注入電流密度を他の領域における注入電流密度よりも低減する構造を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3)：
H01S 5/042 610 ,  G11B 7/125 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01S 5/042 610 ,  G11B 7/125 A ,  H01S 5/343
F-Term (37)：
5D119AA08 ,  5D119AA24 ,  5D119AA33 ,  5D119AA38 ,  5D119AA42 ,  5D119BA01 ,  5D119BB01 ,  5D119BB02 ,  5D119BB04 ,  5D119FA05 ,  5D119FA18 ,  5D119FA19 ,  5D119NA04 ,  5D789AA08 ,  5D789AA24 ,  5D789AA33 ,  5D789AA38 ,  5D789AA42 ,  5D789BA01 ,  5D789BB01 ,  5D789BB02 ,  5D789BB04 ,  5D789FA05 ,  5D789FA18 ,  5D789FA19 ,  5D789NA04 ,  5F073AA07 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA05 ,  5F073BA06 ,  5F073CA16 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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