Pat
J-GLOBAL ID:200903003037096568
基板から素子を切り取る装置及び方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
政木 良文
, 橋本 薫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003373955
Publication number (International publication number):2004158859
Application date: Nov. 04, 2003
Publication date: Jun. 03, 2004
Summary:
【課題】 基板をほぼ完全に切断するために基板を設置面に対し固定することを提供し、その結果、切断パターンに沿って基板がダイに分離するのを許容する。更に、切断工程の途中及び後において切断されたダイを設置面に対し固定することを提供する【解決手段】 集積素子のアレイが取り付けられた半導体基板を含むウェハ14を切断するプロセス及びシステムであって、多孔性設置面を有し、切断時及びその後において孔部を通した真空吸引で前記ウェハを固定する真空チャックを備える。制御された偏光を有する固体レーザ10を用いて基板に紫外線レーザのレーザパルスを当てて、ウェハ14を切断する。分離したダイを設置面から取り外すために、分離したダイに粘着膜を貼付する。或いは、分離したダイは、切断後にウェハ14から別方法で取り外される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
製品の切断方法であって、
設置面を有する多孔性部材の上に前記製品を設置し、
前記設置面上の前記製品を前記多孔性部材の孔部を通して吸引することにより固定し、
前記吸引によって前記設置面上に固定された状態を維持したまま、前記製品を個々の素子に切断することを含む切断方法。
IPC (6):
H01L21/301
, B23K26/00
, B23K26/10
, B28D5/00
, H01L21/68
, H01L33/00
FI (9):
H01L21/78 N
, B23K26/00 320E
, B23K26/10
, B28D5/00 A
, H01L21/68 E
, H01L21/68 P
, H01L33/00 C
, H01L21/78 B
, H01L21/78 P
F-Term (25):
3C016DA05
, 3C069AA03
, 3C069BA08
, 3C069BB01
, 3C069CA05
, 3C069CB01
, 4E068AE01
, 4E068CE09
, 4E068DA10
, 4E068DB10
, 4E068DB12
, 5F031CA02
, 5F031CA13
, 5F031HA02
, 5F031HA14
, 5F031HA57
, 5F031JA04
, 5F031JA28
, 5F031JA36
, 5F031KA06
, 5F031MA34
, 5F031MA40
, 5F041AA42
, 5F041CA40
, 5F041CA76
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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米国特許第6365429号明細書(第2欄、第20行目〜第28行目参照)
Cited by examiner (12)
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レーザ光を用いた硬質非金属膜の切断方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-006357
Applicant:日立電線株式会社
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半導体保持装置及びダイシング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-307859
Applicant:富士通株式会社
-
基板分割方法及びその基板分割を用いた発光素子製造 方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-268370
Applicant:ローム株式会社
-
半導体デバイスの分離方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-018868
Applicant:株式会社東芝
-
吸着固定用シート
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-170821
Applicant:日東電工株式会社
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特開昭63-210148
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窒化物半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-256317
Applicant:日亜化学工業株式会社
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レーザ加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-347837
Applicant:日本電気株式会社
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成長基板が除去された窒化物レ-ザダイオ-ドの構造及び窒化物レ-ザダイオ-ドアレイ構造の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-364118
Applicant:ゼロックスコーポレイション
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レ-ザ切断装置および切断方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-008573
Applicant:三星電子株式会社
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特開昭63-210148
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特開昭63-210148
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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《日本カンタム・デザインのLD励起固体UVレーザ発振機》素材加工に高出力UVレーザが有効 熱ひずみなく高
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《日本カンタム・デザインのLD励起固体UVレーザ発振機》素材加工に高出力UVレーザが有効 熱ひずみなく高
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