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J-GLOBAL ID：200903003116118674

パワー半導体モジュール

Inventor：
小林 孝敏

About 小林 孝敏

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宮坂 忠志

About 宮坂 忠志

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山田 克己

About 山田 克己

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両角 朗

About 両角 朗


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000402127
Publication number (International publication number)：2002203942
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】セラミック基板,金属ベースの材質,寸法、および接合材料,接合方法を最適化してパワー半導体モジュールの信頼性向上と長寿命化を図る。【解決手段】金属ベース1,セラミック基板2,パワー半導体チップ9の回路組立体に、端子一体形パッケージを組合せたモジュールで、セラミック基板がセラミック板8aの両面に表回路板8b,裏板8cを接合した構造になり、金属ベースとセラミック基板を半田付けしたものにおいて、金属ベースは、熱伝導率250W/mK以上の銅,銅合金で、その板厚を3.9〜6mmとし、セラミック基板は、セラミック板の板厚0.1〜0.65mm、表回路板,裏板の厚さを0.1〜0.5mmとして、その外形サイズを最大50mm×50mm、縦横比を1:1〜1:1.2の範囲に規定し、融点が183〜250°Cの半田を用い、その層厚さを0.1〜0.3mmにして金属ベースとセラミック基板とを半田接合する。
Claim (excerpt)：
ヒートシンクとしての金属ベースと、セラミック基板に半導体チップを実装して前記金属ベースの上に搭載した回路組立体と、端子一体形の外囲ケースを組合せて構成したパワー半導体モジュールであり、前記セラミック基板がセラミック板の表,裏両面に金属からなる表回路板および裏板を接合した構造になり、かつ金属ベースとセラミック基板の裏板との間を半田接合したものにおいて、金属ベースは、材質が熱伝導率が250W/mK以上の銅もしくは銅合金で、その板厚を3.9mm以上6mm以下とし、セラミック基板は、セラミック板の厚さを0.1mm以上0.65mm以下、表回路板および裏板の厚さを0.1mm以上0.5mm以下として、該基板の外形サイズを最大50mm×50mm、その縦横比を1:1〜1:1.2の範囲に規定し、半田には融点が183〜250°Cの半田を用い、かつ半田層の厚さを0.1mm以上0.3mm以下にして金属ベースとセラミック基板とを半田接合して組立てたことを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (3)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12
FI (2)：
H01L 25/04 C ,  H01L 23/12 J
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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