半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：河宮治 , 山田卓二 , 中野晴夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003339730
Publication number (International publication number)：2005109100
Application date： Sep. 30, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】放熱特性に優れ、かつ絶縁性が高く、更に小型化が可能な、電力用の半導体装置を提供する。【解決手段】チップが樹脂モールドされた半導体装置が、表面と裏面を備えダイパッドを含むフレームと、ダイパッドの表面に載置されたパワーチップと、対向する第1面と第2面とを備えダイパッドの裏面がその第1面と接するように配置された絶縁性の樹脂シートと、樹脂シートの第1面上にパワーチップを封止するように設けられたモールド樹脂とを含む。樹脂シートの熱伝導率は、モールド樹脂の熱伝導率より大きい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

チップが樹脂モールドされた半導体装置であって、表面と裏面を備え、ダイパッドを含むフレームと、該ダイパッドの該表面に載置されたパワーチップと、対向する第1面と第2面とを備え、該ダイパッドの該裏面がその第1面と接するように配置された絶縁性の樹脂シートと、該樹脂シートの該第1面上に、該パワーチップを封止するように設けられたモールド樹脂とを含み、該樹脂シートの熱伝導率が、該モールド樹脂の熱伝導率より大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L23/29 , H01L21/56 , H01L23/50

FI (3)：

H01L23/36 A , H01L21/56 R , H01L23/50 G

F-Term (13)：

5F036AA01 , 5F036BA23 , 5F036BB21 , 5F036BC05 , 5F036BC23 , 5F036BD21 , 5F061AA01 , 5F061BA01 , 5F061CA21 , 5F061CB03 , 5F067AA03 , 5F067CA01 , 5F067DE01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-310980 Applicant：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
半導体電力モジュール及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-300616 Applicant：フェアチャイルドコリア半導体株式会社

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-282054 Applicant：株式会社日立製作所
樹脂封止型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-042242 Applicant：富士電機株式会社
半導体パワーモジュールおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-312641 Applicant：富士電機株式会社

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