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J-GLOBAL ID：200903004005474087

膜形成材料、膜形成方法、及び素子

Inventor：
町田 英明

About 町田 英明

, 
大下 祥雄

About 大下 祥雄

, 
石川 真人

About 石川 真人

, 
加田 武史

About 加田 武史


Applicant, Patent owner：
株式会社トリケミカル研究所

About 株式会社トリケミカル研究所


Agent (1)： 宇高 克己
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002141007
Publication number (International publication number)：2003328130
Application date： May. 16, 2002
Publication date： Nov. 19, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 次世代トランジスタに十分に使用可能なシリサイト膜をCVDで作成できる技術を提供する。【解決手段】 Co及びNiの群の中から選ばれる一つ又は二つの金属元素、及びSiが用いられて構成されてなるシリサイト膜を形成する為の膜形成材料であって、前記金属元素の原料として下記一般式I及び一般式IIの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物が用いられ(但し、MはCo又はNi、nは2又は3、R1,R2,R3はH又はアルキル基である。)(但し、MはCo又はNi、R1,R2,R3,R4,R5はH又はSiの原料として,SiH4,Me3SiH,Et3SiH等から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物が用いられる。アルキル基である。)
Claim (excerpt)：
Co及びNiの群の中から選ばれる一つ又は二つの金属元素、及びSiが用いられて構成されてなるシリサイト膜を形成する為の膜形成材料であって、前記金属元素の原料として下記一般式[I]及び一般式[II]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物が用いられてなることを特徴とする膜形成材料。一般式[I](但し、MはCo又はNi、nは2又は3、R1,R2,R3はH又はアルキル基である。R1,R2,R3は同一でも異なっていても良い。)一般式[II](但し、MはCo又はNi、R1,R2,R3,R4,R5はH又はアルキル基である。R1,R2,R3,R4,R5は同一でも異なっていても良い。)
IPC (8)：
C23C 16/18 ,  C01B 33/06 ,  C07C 49/92 ,  C07F 7/08 ,  C07F 15/04 ,  C07F 15/06 ,  C07F 17/00 ,  C23C 16/42
FI (8)：
C23C 16/18 ,  C01B 33/06 ,  C07C 49/92 ,  C07F 7/08 B ,  C07F 15/04 ,  C07F 15/06 ,  C07F 17/00 ,  C23C 16/42
F-Term (43)：
4G072AA20 ,  4G072BB09 ,  4G072HH03 ,  4G072HH28 ,  4G072JJ01 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ45 ,  4G072LL01 ,  4G072LL06 ,  4G072NN13 ,  4G072RR01 ,  4G072RR25 ,  4G072RR26 ,  4G072UU01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006AB91 ,  4H049VN01 ,  4H049VQ01 ,  4H049VR11 ,  4H049VR12 ,  4H049VR13 ,  4H049VR21 ,  4H049VR22 ,  4H049VR23 ,  4H049VU24 ,  4H050AA03 ,  4H050AB78 ,  4H050AB91 ,  4H050WB11 ,  4H050WB13 ,  4H050WB21 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030AA24 ,  4K030BA05 ,  4K030BA14 ,  4K030BA48 ,  4K030FA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (14)
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Cited by examiner (20)
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