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J-GLOBAL ID：200903004987745542

薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置

Inventor：
今井 真二

About 今井 真二


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008289854
Publication number (International publication number)：2009141341
Application date： Nov. 12, 2008
Publication date： Jun. 25, 2009
Summary：
【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ON/OFF比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたTFTを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体を含有する活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層のキャリア濃度が3×1017/cm3以上であり、前記活性層の膜厚が0.5nm以上10nm未満であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体を含有する活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層のキャリア濃度が3×1017/cm3以上であり、前記活性層の膜厚が0.5nm以上10nm未満であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
IPC (6)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/133 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/02
FI (7)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618Z ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 500 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/02
F-Term (94)：
2H090JB03 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA13 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA06 ,  2H092MA08 ,  2H092MA27 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107CC43 ,  3K107CC45 ,  3K107DD16 ,  3K107DD17 ,  3K107EE04 ,  3K107HH05 ,  5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE12 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110GG55 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325366   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
  • 発光装置及び表示装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325367   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
  • 固体電子装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-039208   Applicant：国立大学法人東京工業大学
Cited by examiner (9)
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