薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008289854
Publication number (International publication number)：2009141341
Application date： Nov. 12, 2008
Publication date： Jun. 25, 2009
Summary：

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ON/OFF比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたTFTを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体を含有する活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層のキャリア濃度が3×1017/cm3以上であり、前記活性層の膜厚が0.5nm以上10nm未満であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体を含有する活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層のキャリア濃度が3×1017/cm3以上であり、前記活性層の膜厚が0.5nm以上10nm未満であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 , G02F 1/133 , H01L 51/50 , H05B 33/02

FI (7)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 618Z , G02F1/1368 , G02F1/1333 500 , H05B33/14 A , H05B33/02

F-Term (94)：

2H090JB03 , 2H090LA01 , 2H090LA04 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092KA05 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA13 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA06 , 2H092MA08 , 2H092MA27 , 2H092PA01 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC31 , 3K107CC43 , 3K107CC45 , 3K107DD16 , 3K107DD17 , 3K107EE04 , 3K107HH05 , 5F110AA05 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD04 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE12 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG51 , 5F110GG55 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325366 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
発光装置及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325367 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
固体電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-039208 Applicant：国立大学法人東京工業大学

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Cited by examiner (9)

非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-078996 Applicant：出光興産株式会社
固体電子装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-074642 Applicant：国立大学法人東京工業大学
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325366 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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