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J-GLOBAL ID：200903004996716326

発光ダイオ-ド及びその製造方法

Inventor：
呉 明 錫

About 呉 明 錫

, 
林 成 ウク

About 林 成 ウク

, 
安 ジェオン 煥

About 安 ジェオン 煥


Applicant, Patent owner：
三星電機株式会社

About 三星電機株式会社


Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999306535
Publication number (International publication number)：2000174330
Application date： Oct. 28, 1999
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：
【要約】【課題】 発光ダイオードにおいて、単結晶間の界面特性を向上させるため非-単結晶物質からなる中間層を形成し単結晶間に発生する格子不整合による欠陥を減少させ輝度特性と順方向電圧特性を大幅に向上させる。【解決手段】 半導体基板と、n-AlGaInPからなり半導体基板上に形成の第1制限層と、AlGaInPからなり第1制限層上に形成の活性層と、p-AlGaInPからなり活性層上に形成の第2制限層と、単結晶物質とからなり活性層のバンドギャップより大きなバンドギャップを保有し活性層の抵抗より小さい抵抗を有する物質からなり第2制限層上に形成され、その下部の第2制限層との境界領域に形成され活性層との界面特性を向上させ界面間に発生する欠陥を減少させる非-単結晶物質からなる中間層を含む単結晶ウィンドウ層と、上記半導体基板と、ウィンドウ層に形成の第1電極および第2電極からなる。
Claim 1：
半導体基板;上記半導体基板上に形成され光を発散するAlGaInPからなる活性p-n接合層;接合層上に形成され、上記接合層より大きいバンドギャップを保有し、接合層の抵抗より小さい抵抗を有する物質からなるウィンドウ層;上記接合層とウィンドウ層間に形成され接合層とウィンドウ層間の界面特性を向上させ界面間に生じる欠陥を減少させる非晶質からなる中間層;および上記半導体基板とウィンドウ層に形成の第1電極および第2電極からなる発光ダイオード。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (18)
  • 半導体発光素子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-014906   Applicant：シャープ株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-228364   Applicant：シャープ株式会社
  • 面発光型半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-052149   Applicant：日本電気株式会社
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