半導体素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：瀬谷徹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999157793
Publication number (International publication number)：2000022095
Application date： Jun. 04, 1999
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【目的】コンタクト抵抗を減少させることができる半導体素子を提供する。【構成】順次積層された第1のドープしたポリシリコン膜、第1のタングステンシリサイド膜、及びキャップ層からなる下部導電層パターンと、順次積層された第2のドープしたポリシリコン膜及び第2のタングステンシリサイド膜からなる上部導電層パターンとを含む。ここで、下部導電層パターンと上部導電層パターンとのコンタクトは、実質的にキャップ層と第2のドープしたポリシリコン膜との間でなされ、キャップ層は、少量のタングステンを含んだドープしたポリシリコン膜からなり、第1のタングステンシリサイド膜よりもシリコンの化学的当量比xが大であることを特徴とする。望ましくは、第1のタングステンシリサイド膜のSiの化学的当量比xは2.3乃至2.5で、キャップ層のSiの化学的当量比xは2.6乃至2.9である。

Claim (excerpt)：

順次積層された第1のドープしたポリシリコン膜、第1のタングステンシリサイド膜、及びキャップ層からなる下部導電層パターンと、順次積層された第2のドープしたポリシリコン膜及び第2のタングステンシリサイド膜からなる、前記下部導電層パターンとコンタクトする上部導電層パターンとを含み、前記下部導電層パターンと前記上部導電層パターンとのコンタクトは、実質的に前記キャップ層と第2のドープしたポリシリコン膜との間でなされ、前記キャップ層は、少量のタングステンを含んだドープしたポリシリコン膜からなり、前記第1のタングステンシリサイド膜よりもシリコンの化学的当量比xが大であることを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 481 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 27/10 481 , H01L 21/28 301 D , H01L 21/88 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体素子の金属配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-305500 Applicant：現代電子産業株式会社
ワードラインの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-011965 Applicant：ユナイテッドマイクロエレクトロニクスコーポレーション
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-293183 Applicant：富士通株式会社

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