アミン化合物、化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005299558
Publication number (International publication number)：2007108451
Application date： Oct. 14, 2005
Publication date： Apr. 26, 2007
Summary：

【課題】高い解像性と良好なパターン形状を与え、電子線や遠紫外線を用いた微細加工に有用であり、ポジ型及びネガ型のKrFレジスト、ArFレジスト、F2レジスト、EUVレジスト、EBレジスト、X線レジストにおいて高い配合効果を与え、超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。また、通常の露光法の他、液浸露光にも好適であるレジスト材料の提供。【解決手段】フッ素化アルキル基を有するアミン化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

フッ素化アルキル基を有するアミン化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。

IPC (7)：

G03F 7/039 , C07D 295/08 , G03F 7/004 , G03F 7/38 , H01L 21/027 , C07D 295/14 , C07D 295/12

FI (7)：

G03F7/039 601 , C07D295/08 Z , G03F7/004 501 , G03F7/38 , H01L21/30 502R , C07D295/14 Z , C07D295/12 Z

F-Term (24)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096DA01 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096FA01 , 2H096JA02 , 2H096JA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特公平2-27660号公報
特開昭63-27829号公報
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-073169 Applicant：日本合成ゴム株式会社

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Cited by examiner (8)

感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-349976 Applicant：富士写真フイルム株式会社
化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-270579 Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-071192 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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