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J-GLOBAL ID：200903055089553169

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor：
長谷川 幸士

About 長谷川 幸士

, 
西 恒寛

About 西 恒寛

, 
橘 誠一郎

About 橘 誠一郎


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004082327
Publication number (International publication number)：2005264103
Application date： Mar. 22, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：
【解決手段】 酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する高分子化合物であって、一般式(1)〜(3)で示される繰り返し単位をそれぞれ一種以上含む高分子化合物。 【化1】(R1、R2及びR5はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基、R3、R4はそれぞれ独立に水素原子又は水酸基を示す。Xはアダマンタン骨格を有する3級アルキル基を示す。)【効果】 本発明の高分子化合物を用いて調製したレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、解像度、パターン粗密寸法差の点で優れているため、電子線や遠紫外線による超LSI製造用の微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、これらエキシマレーザーを利用したフォトリソグラフィーにより微細かつ複雑なパターンを容易に形成することができる。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する高分子化合物であって、下記一般式(1)〜(3)で示される繰り返し単位をそれぞれ一種以上含むことを特徴とする高分子化合物。
IPC (4)：
C08F220/28 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (4)：
C08F220/28 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (32)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025FA17 ,  4J100AJ02S ,  4J100AJ08S ,  4J100AL00S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL34S ,  4J100BA03R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC58Q ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (5)
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