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J-GLOBAL ID：200903021795677200

含窒素有機化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 渡辺 武 ,  金生 剛 ,  長谷川 幸士 ,  竹村 勝也 ,  野田 和美 ,  小林 克浩
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004324619
Publication number (International publication number)：2005165295
Application date： Nov. 09, 2004
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【解決手段】 (A)芳香族カルボン酸エステル構造を有する含窒素有機化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。【効果】 本発明の含窒素有機化合物を配合して調製したレジスト材料は、高い解像性と良好なパターン形状を与えるものであり、電子線や遠紫外線を用いた微細加工に有用である。KrFレジスト、ArFレジスト、F2レジスト、EUVレジスト、EBレジスト、X線レジストにおいて高い配合効果を与え、超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

(A)芳香族カルボン酸エステル構造を有する含窒素有機化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。

IPC (4)：

G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (4)：

G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (17)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (22)

• 特公平2-27660号公報
  
• パターン形成用材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-347042   Applicant：ヘキストジャパン株式会社
• ポジ型放射感応性混合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-025751   Applicant：ヘキストジャパン株式会社
• ポジ型放射感応性混合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-025753   Applicant：ヘキストジャパン株式会社
• N,N-二置換スルホンアミド化合物およびその化合物を使用して製造された放射線感応性混合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-311775   Applicant：ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
• N,N-二置換スルホンアミド懸垂基を有する重合体およびその使用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-311773   Applicant：ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
• 感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-054398   Applicant：株式会社東芝
• 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079113   Applicant：株式会社東芝
• レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-298995   Applicant：和光純薬工業株式会社
• レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-312669   Applicant：日本ゼオン株式会社
• レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-312671   Applicant：日本ゼオン株式会社
• 特開昭63-27829号公報
  
• レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-312672   Applicant：日本ゼオン株式会社
• 感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-203763   Applicant：株式会社東芝
• レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-125006   Applicant：株式会社東芝
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-073169   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• 感放射線性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-209404   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• ネガ型感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-344085   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 放射感受性の組成物及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-304792   Applicant：シツプリイ・カンパニイ・インコーポレイテツド
• 微細加工用レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-053671   Applicant：東レ株式会社
• パタン形成材料及びそれを用いたパタン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-090609   Applicant：株式会社日立製作所
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-116722   Applicant：日本合成ゴム株式会社

Cited by examiner (7)

• ポジ型化学増幅レジスト組成物及びこれに使用する化合物の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-262790   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-148562   Applicant：日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社
• 電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-119723   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 特開昭51-043739
  
• 特公昭41-019064
  
• 特開昭60-016925
  
• レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-328131   Applicant：信越化学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• "Structure/Activity Study of Tris(2-aminoethyl)amine-DerivedTranslocases for Phosphatidylcholine"
• "CHEMICALLY-TAGGED MITSUNOBU REAGENTS FOR USE IN SOLUTIONPHASE CHEMICAL LIBRARY SYNTHESIS"