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J-GLOBAL ID:200903006590187546
半導体装置およびその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三好 秀和 (外8名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001215432
Publication number (International publication number):2003031808
Application date: Jul. 16, 2001
Publication date: Jan. 31, 2003
Summary:
【要約】【課題】 信頼性が高く、且つ安定した耐圧を有するゲート構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体単結晶からなるn-型エピ層3の表面に、不純物がイオン注入により高濃度に導入されて活性化されてなるn+型ソース領域5が形成され、このn+型ソース領域5を含むn-型エピ層3の表面上にゲート絶縁膜6が形成され、このゲート絶縁膜6におけるのn+型ソース領域5上に位置する端部6Aの膜厚が、ゲート絶縁膜6における他の部分の膜厚より厚く設定されている。このため、ゲート絶縁膜6の端部6Aの耐圧が高くなり、半導体装置1の信頼性を向上できる。
Claim (excerpt):
半導体単結晶からなる半導体基板に、不純物がイオン注入により導入されて活性化されてなる高濃度不純物領域が形成され、且つ前記高濃度不純物領域を含む前記半導体基板上にゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜における前記高濃度不純物領域の上に位置する部分の膜厚が、該ゲート絶縁膜における他の部分の膜厚より厚く設定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 21/336
FI (9):
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 652 B
, H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 658 D
, H01L 29/78 658 F
, H01L 29/78 658 Z
F-Term (27):
5F140AA19
, 5F140AA30
, 5F140AC02
, 5F140AC21
, 5F140AC23
, 5F140BA02
, 5F140BA16
, 5F140BB02
, 5F140BB06
, 5F140BC06
, 5F140BC12
, 5F140BD18
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF42
, 5F140BG05
, 5F140BG28
, 5F140BG37
, 5F140BH15
, 5F140BH30
, 5F140BH49
, 5F140BK02
, 5F140BK05
, 5F140BK13
, 5F140BK21
, 5F140BK29
, 5F140BK38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-325520
Applicant:コンソルツィオペルラリセルカスーラマイクロエレットロニカネルメッツォジオルノ
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半導体メモリ装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-242603
Applicant:シャープ株式会社
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特開昭63-021876
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-073696
Applicant:日本電装株式会社
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炭化珪素半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-028624
Applicant:富士電機株式会社
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特開平1-255276
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炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-243706
Applicant:株式会社デンソー
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炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-186535
Applicant:富士電機株式会社
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炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-069186
Applicant:株式会社デンソー
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-072422
Applicant:株式会社東芝
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炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-069193
Applicant:株式会社デンソー
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特開平1-255276
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特開昭63-021876
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特開平1-255276
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