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J-GLOBAL ID：200903007524903954

強誘電体メモリ及びその製造方法

Inventor：
高橋 陽

About 高橋 陽


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004334520
Publication number (International publication number)：2006147771
Application date： Nov. 18, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：
【課題】水素、水分による強誘電体層の劣化を防止する。【解決手段】強誘電体メモリ10は、強誘電体層34を含んで、第1絶縁膜20上に設けられている強誘電体キャパシタ構造体30と、強誘電体キャパシタ構造体及び第1絶縁膜を覆って設けられている第1バリア膜40と、第1バリア膜上に設けられている第2絶縁膜50と、第2絶縁膜及び第1バリア膜を貫通して設けられている第1埋込みコンタクト62aと、第2絶縁膜上に設けられている第1配線層70と、第1配線層上に設けられている酸化膜72と、酸化膜、第1配線層、第2絶縁膜を覆って設けられている第2バリア膜80と、第2バリア膜上に形成されている第3絶縁膜90と、第3絶縁膜、第2バリア膜、酸化膜を貫通して設けられている第2埋込みコンタクト64aと、第3絶縁膜上に設けられている第2配線層76とを具えている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
複数のメモリセルを具える強誘電体メモリであって、 前記メモリセルが具えていて、第1絶縁膜上に設けられている、強誘電体層を含む強誘電体キャパシタ構造体と、 前記強誘電体キャパシタ構造体及び前記第1絶縁膜を覆って設けられている、水素及び水分の透過を防止する第1バリア膜と、 前記第1バリア膜上に設けられている第2絶縁膜と、 前記第2絶縁膜及び前記第1バリア膜を貫通して前記強誘電体キャパシタ構造体に接続されている第1埋込みコンタクトと、 前記第1埋込みコンタクトの上面に接続されて前記第2絶縁膜上に設けられている第1配線層と、 前記第1配線層上に設けられている酸化膜と、 前記酸化膜、前記第1配線層、前記第2絶縁膜を覆って設けられている、水素及び水分の透過を防止する第2バリア膜と、 前記第2バリア膜上に形成されている第3絶縁膜と、 前記第3絶縁膜、前記第2バリア膜及び前記酸化膜を貫通して前記第1配線層に接続されている第2埋込みコンタクトと、 前記第2埋込みコンタクトの上面に接続されて、前記第3絶縁膜上に設けられている第2配線層と を具えていることを特徴とする強誘電体メモリ。
IPC (3)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 21/768
FI (2)：
H01L27/10 444B ,  H01L21/90 A
F-Term (35)：
5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK07 ,  5F033KK09 ,  5F033KK33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX28 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA18 ,  5F083NA08 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (6)
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