半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000296076
Publication number (International publication number)：2002110932
Application date： Sep. 28, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】ダメージが低減され、信頼性が向上する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】Si基板1上に形成された層間絶縁膜3に第1の溝を形成し、Si基板1表面を露出し、第1の溝を含めた層間絶縁膜3上に誘電体膜4,Pt膜5,強誘電体膜6及びPt膜7を堆積し、層間絶縁膜3上の誘電体膜4,Pt膜5,強誘電体膜6及びPt膜7を平坦化除去し、第1の溝内に誘電体膜4,Pt膜5,強誘電体膜6及びPt膜7を残存させることにより強誘電体キャパシタ構造を第1の溝内に形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成された穴部と、前記穴部表面を覆うように前記半導体基板上に形成された強誘電体膜と、側部及び底部を前記強誘電体膜に囲まれた第1の電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/105 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/10 444 A , H01L 27/10 444 B , H01L 29/78 371

F-Term (34)：

5F001AA01 , 5F001AA17 , 5F001AB02 , 5F001AB04 , 5F001AD12 , 5F001AD33 , 5F001AG21 , 5F001AG30 , 5F083FR02 , 5F083FR05 , 5F083FR06 , 5F083FR07 , 5F083GA25 , 5F083JA02 , 5F083JA12 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA17 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F101BA01 , 5F101BA62 , 5F101BB02 , 5F101BB08 , 5F101BD02 , 5F101BD20 , 5F101BH02 , 5F101BH16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-356493 Applicant：株式会社東芝
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-346404 Applicant：株式会社東芝
強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-057505 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション

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