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J-GLOBAL ID:200903007866043361
深紫外線センサー
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002256880
Publication number (International publication number):2004095958
Application date: Sep. 02, 2002
Publication date: Mar. 25, 2004
Summary:
【課題】従来技術では素子単体で225nm以下の波長の紫外線にのみ感度を持つセンサーは大型のものか、ダイヤモンドに高電圧を印加して動作するものしかなかった。【構成】リンをドープしたn型ダイヤモンドをn型層に用いたpn接合による225nm以下の波長の紫外線を検知する深紫外線センサー。これは200nmの波長における検出感度(I200)と250nmにおける検出感度(I250)の比(I200/I250)が100以上である。リンをドープしたn型ダイヤモンドをn型層に用いたpin接合による225nm以下の波長の紫外線を検知する深紫外線センサー。これは200nmの波長における検出感度(I200)と250nmにおける検出感度(I250)の比(I200/I250)が1000以上である。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
リンをドープしたn型ダイヤモンドをn型層に用いたpn接合による225nm以下の波長の紫外線を検知する深紫外線センサー。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (11):
5F049MA02
, 5F049MA04
, 5F049MB02
, 5F049MB11
, 5F049NA10
, 5F049NA20
, 5F049NB07
, 5F049PA03
, 5F049SS03
, 5F049SS09
, 5F049WA05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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ダイヤモンドpn接合ダイオードおよびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-244883
Applicant:工業技術院長, 科学技術振興事業団
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ダイヤモンド紫外光発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-368095
Applicant:独立行政法人物質・材料研究機構
-
紫外線検出素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-081750
Applicant:大阪瓦斯株式会社
-
電子装置及びその動作方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-100674
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
フォトダイオードおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-026198
Applicant:ゴールドスターエレグトロンカンパニーリミテッド
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UVフォトディテクタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-005065
Applicant:浜松ホトニクス株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-225720
Applicant:新日本無線株式会社
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特開平4-240784
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特開平3-023295
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低抵抗n型ダイヤモンドの合成法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-208611
Applicant:科学技術振興事業団
-
半導体光センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-113536
Applicant:富士電機株式会社
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