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J-GLOBAL ID:200903007866043361

深紫外線センサー

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002256880
Publication number (International publication number):2004095958
Application date: Sep. 02, 2002
Publication date: Mar. 25, 2004
Summary:
【課題】従来技術では素子単体で225nm以下の波長の紫外線にのみ感度を持つセンサーは大型のものか、ダイヤモンドに高電圧を印加して動作するものしかなかった。【構成】リンをドープしたn型ダイヤモンドをn型層に用いたpn接合による225nm以下の波長の紫外線を検知する深紫外線センサー。これは200nmの波長における検出感度(I200)と250nmにおける検出感度(I250)の比(I200/I250)が100以上である。リンをドープしたn型ダイヤモンドをn型層に用いたpin接合による225nm以下の波長の紫外線を検知する深紫外線センサー。これは200nmの波長における検出感度(I200)と250nmにおける検出感度(I250)の比(I200/I250)が1000以上である。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
リンをドープしたn型ダイヤモンドをn型層に用いたpn接合による225nm以下の波長の紫外線を検知する深紫外線センサー。
IPC (1):
H01L31/10
FI (1):
H01L31/10 A
F-Term (11):
5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MB02 ,  5F049MB11 ,  5F049NA10 ,  5F049NA20 ,  5F049NB07 ,  5F049PA03 ,  5F049SS03 ,  5F049SS09 ,  5F049WA05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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