半導体パワーモジュール

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004372483
Publication number (International publication number)：2006179732
Application date： Dec. 24, 2004
Publication date： Jul. 06, 2006
Summary：

【課題】樹脂封止半導体パワーモジュールのハンダ接続部の熱疲労寿命と耐湿性とを、同時に向上させる。【解決手段】本発明の半導体パワーモジュールは、セラミックス基板に高純度AlもしくはAl合金を直接接触させて接合させた絶縁基板にハンダを介してSiチップを搭載し、このSiチップと絶縁基板とを、線膨張係数が10×10-6〜40×10-6/°C、ヤング率が3〜20GPa、ガラス転移温度Tgが150°C以上であるのエポキシ系樹脂で封止した。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

セラミックス絶縁基板と、該セラミックス絶縁基板の一方の面に配置した第1の電極と、該電極にハンダを介して接合したSi半導体チップと、前記セラミックス絶縁基板の一方の面に配置した第2の電極と、該第2の電極にハンダを介して接合したリードとを備えた半導体パワーモジュールにおいて、前記セラミックス絶縁基板が、溶融したAlあるいは溶融したAl合金をセラミックス絶縁基板の一方の面と該一方の面対向する他方の面に直接に接触させて凝固させて接合したAl-セラミックス複合絶縁基板であり、前記Si半導体チップと第1の電極とを接合するハンダが、Sn-Ag-Cu系、Sn-Cu系、Sn-Sb系ハンダ、もしくはこれらにNi,Cu,Ag,Ge,In,Bi,Zn等のいずれか一つ以上の元素を含む鉛フリーハンダであって、前記第1の電極と第2の電極とが、ワイヤボンデイング接続、もしくはテープ、リードフレームを介して接続され、前記セラミックス絶縁基板と、Si半導体チップと、第1の電極と、Si半導体チップと第1の電極とを接合するハンダとが、エポキシ系樹脂でポッテイングもしくはトランスファモールドで封止され、該エポキシ系樹脂の線膨張係数が10×10-6〜40×10-6/°Cであり、該エポキシ系樹脂のヤング率が3〜20GPaであることを特徴とする半導体パワーモジュール。

IPC (2)：

H01L 23/12 , H01L 23/28

FI (2)：

H01L23/12 J , H01L23/28 B

F-Term (6)：

4M109AA01 , 4M109BA04 , 4M109CA04 , 4M109EA02 , 4M109EC03 , 4M109EC04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置、その封止に用いられる樹脂および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-162804 Applicant：三菱電機株式会社
金属-セラミックス複合基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-275057 Applicant：同和鉱業株式会社
絶縁型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-055173 Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (5)

絶縁型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-055173 Applicant：株式会社日立製作所
液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-180204 Applicant：松下電工株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-328386 Applicant：富士通株式会社

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