半導体チップ積層パッケージ構造、及び、かかるパッケージ構造に好適な半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：小川勝男 , 田中恭助 , 佐々木孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003017344
Publication number (International publication number)：2004228485
Application date： Jan. 27, 2003
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：

【課題】高機能・高集積化に伴う劣悪な放熱環境下でも、半導体内のリーク電流を抑制し安定な動作を可能にする半導体チップ積層パッケージ構造等を提供する。【解決手段】配線用の基板(10)上に、発熱する半導体チップであるプロセッサLSI(MPU-LSI)(20)複数積層して搭載し、その周囲を封止部材(60)で封止した半導体チップ積層パッケージ構造において、この積層したチップ状部材の一部には、冷却機能を有するクーラーチップ(50)を含み、かつ、このクーラーチップはプロセッサLSI内で発生する熱をその外部に導出し、さらに、このクーラーチップへの外部からの熱の伝達を抑制する手段を備え、外部温度にもかかわらずこのクーラーチップ内の温度を所定の温度に維持する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

配線基板上に、発熱する半導体チップを含むチップ状部材を内部に複数積層して搭載し、その周囲を封止部材により封止した半導体チップ積層パッケージ構造であって、上記複数積層したチップ状部材は、冷却機能を有するチップ状部材を含んでおり、かつ、当該冷却機能を有するチップ状部材は、前記半導体チップ内で発生する熱をその外部に導出し、もって、外部温度にもかかわらず、当該半導体チップ内でのリーク電流の増大を抑制することを特徴とする半導体チップ積層パッケージ構造。

IPC (4)：

H01L23/38 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18

FI (2)：

H01L23/38 , H01L25/08 Z

F-Term (4)：

5F036AA01 , 5F036BA23 , 5F036BA33 , 5F036BE01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

積層型マルチチップ半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-201072 Applicant：富士通株式会社
半導体チップのための埋め込み型熱導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-005031 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-119270 Applicant：日本電気株式会社

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