SOIウェーハの製造方法およびSOIウェーハ

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：早川政名 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999141766
Publication number (International publication number)：2000331899
Application date： May. 21, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 SOIウェーハの製造歩留まりを低下させる最大の要因である結合不良を低下させ、しかもSOI層の膜厚均一性に優れ、不純物汚染の少ないSOIウェーハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ボンドウェーハ2表面より水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して該ボンドウェーハ内部に微小気泡層3を形成した後、該イオン注入面上に第1の温度でCVD酸化膜4を形成し、該CVD酸化膜の表面を平坦化処理した後、該表面をベースウェーハ1表面と密着させ、その後、第1の温度より高温の第2の温度で熱処理を加えて微小気泡層3でボンドウェーハを薄膜状に剥離し、SOIウェーハを得る。

Claim (excerpt)：

ボンドウェーハ表面より水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して該ボンドウェーハ内部に微小気泡層(封入層)を形成した後、該イオン注入面上に第1の温度でCVD酸化膜を形成し、該CVD酸化膜の表面を平坦化処理した後、該表面をベースウェーハ表面と密着させ、その後、第1の温度より高温の第2の温度で熱処理を加えて微小気泡層でボンドウェーハを薄膜状に剥離することを特徴とするSOIウェーハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 , H01L 21/265 , H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/02 B , H01L 27/12 B , H01L 21/265 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

直接接合シリコン基板の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-347892 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-334411 Applicant：富士通株式会社
半導体部材の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-311975 Applicant：キヤノン株式会社

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