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J-GLOBAL ID：200903010333462576

有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタシート及びこれらの製造方法

Inventor：
平井 桂

About 平井 桂


Applicant, Patent owner：
コニカミノルタホールディングス株式会社

About コニカミノルタホールディングス株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003160610
Publication number (International publication number)：2004064059
Application date： Jun. 05, 2003
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：
【課題】大量生産により低コストで性能の安定した有機薄膜トランジスタの製造方法及び安価な有機薄膜トランジスタ製品を提供する。【解決手段】ソース電極及びドレイン電極を塗布法及びフォトリソグラフ法により形成する。【選択図】 図7
Claim (excerpt)：
支持体上にゲート電極を形成する工程、 該ゲート電極を覆うゲート絶縁層を形成する工程、 該ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成する工程、 該有機半導体層上に光感応性樹脂の現像液により除去可能な原電極層を形成する工程、 該原電極層上に光感応性樹脂層を形成する工程、 該光感応性樹脂層を露光する工程及び、 露光された前記光感応性樹脂層を現像することにより、前記原電極層の一部を除去してソース電極及びドレイン電極を形成する工程、 を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (5)：
H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (5)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/28 D ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 616K
F-Term (66)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD62 ,  4M104DD64 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104GG08 ,  4M104HH20 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110GG53 ,  5F110GG54 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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