Pat
J-GLOBAL ID：200903010671206569

成膜装置および成膜方法

Inventor：
寒川 誠二

About 寒川 誠二

, 
野沢 俊久

About 野沢 俊久


Applicant, Patent owner：
寒川 誠二

About 寒川 誠二

, 
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (3)： 伊藤 英彦 ,  森下 八郎 ,  吉田 博由
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003325004
Publication number (International publication number)：2005089823
Application date： Sep. 17, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：
【課題】 プラズマ発生室側に膜の付着がなく、かつ短時間で成膜が可能な成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】 成膜装置10は、処理ガスで加圧され、プラズマを発生させるプラズマ発生室14と、基板を収納し、基板に対して膜を形成するための成膜室20と、複数の穴を有し、プラズマ発生室14と成膜室20とを分離する分離板17とを含む。分離板17の穴の径は、プラズマ発生室14の圧力が成膜室20の圧力よりも2.0倍以上高くなる寸法である。成膜装置10は、プラズマ発生室14と成膜室20との間に所定のバイアス電圧を印加する手段をさらに含む。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
所定の処理ガスを導入され、プラズマを発生させるプラズマ発生室と、 基板を収納し、前記基板に対して成膜ガスを導入することにより、所望の膜を形成するための成膜室と、 複数の穴を有し、前記プラズマ発生室と前記成膜室とを分離する分離板とを含み、前記分離板の穴は、前記処理ガスが前記プラズマ発生室から前記成膜室へ一方通行で流れる寸法である、成膜装置。
IPC (2)：
C23C16/455 ,  H01L21/31
FI (2)：
C23C16/455 ,  H01L21/31 C
F-Term (33)：
4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030FA04 ,  4K030JA09 ,  4K030JA14 ,  4K030KA12 ,  4K030KA19 ,  4K030KA46 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045EE17 ,  5F045EF05 ,  5F045EH03 ,  5F045EH11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
  • リモートプラズマCVD装置及び膜形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-196619   Applicant：日本電気株式会社, アネルバ株式会社
  • プラズマCVD装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-071213   Applicant：日新電機株式会社
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-022767   Applicant：ソニー株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM