薄膜トランジスタ装置及びその製造方法並びに薄膜トランジスタアレイ及び薄膜トランジスタディスプレイ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005102397
Publication number (International publication number)：2006286772
Application date： Mar. 31, 2005
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：

【課題】リーク電流が少なく、画像を安定させるために効果的なキャパシタを具備した薄膜トランジスタ装置を簡単な工程で、安価に提供する。【解決手段】平面視的配置において、ソース電極が孤立島パターンをなし、ドレイン電極が該ソース電極を取り囲むように配置されており、さらにゲート電極が該ソース電極とドレイン電極の間隙を埋める位置に配置されてなり、かつ層間絶縁膜中のビアホールによって画素電極とソース電極間および画素電極とキャパシタ上部電極間が接続されている薄膜トランジスタ装置とする。また、この薄膜トランジスタ装置をマトリクス状に配置した薄膜トランジスタアレイとする。さらにこの薄膜トランジスタアレイと対向基板とで液晶層を挟んだ液晶ディスプレイとする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成されたゲート電極およびキャパシタ下部電極とを有し、その上に形成されたゲート絶縁膜を介して半導体層が配置されており、該半導体層上に接してソース電極、ドレイン電極およびキャパシタ上部電極とを有し、さらにその上に形成された層間絶縁膜を介して画素電極を有する薄膜トランジスタ装置であって、平面視的配置において、前記ソース電極が孤立島パターンをなし、前記ドレイン電極が該ソース電極を取り囲むように配置されており、さらに前記ゲート電極が該ソース電極とドレイン電極の間隙を埋める位置に配置されてなり、かつ前記層間絶縁膜中のビアホールによって画素電極とソース電極間および画素電極とキャパシタ上部電極間が接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタ装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 , G09F 9/30 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L29/78 616T , G02F1/1368 , G09F9/30 338 , H01L29/78 612Z

F-Term (69)：

2H092GA12 , 2H092GA29 , 2H092JA24 , 2H092JB01 , 2H092JB11 , 2H092JB21 , 2H092JB41 , 2H092KA01 , 2H092KA11 , 2H092KB11 , 2H092MA01 , 2H092MA13 , 2H092MA14 , 2H092NA27 , 2H092PA06 , 5C094AA25 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094BA75 , 5C094DA13 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE24 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK34 , 5F110HL02 , 5F110HL07 , 5F110HM04 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110NN73

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：再公表公報 Application number：JP1996003815 Applicant：株式会社日立製作所
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-236210 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-302774 Applicant：富士ゼロックス株式会社

Cited by examiner (6)

アクティブマトリクス液晶表示素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-334210 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-270849 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタ、画像表示素子および画像表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-245322 Applicant：奇美電子股ふん有限公司

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