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J-GLOBAL ID：200903013185581519

半導体記憶装置

Inventor：
野口 充宏

About 野口 充宏

, 
合田 晃

About 合田 晃

, 
新田 博行

About 新田 博行


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003328742
Publication number (International publication number)：2005063626
Application date： Sep. 19, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：
【課題】 読み出し及び書き込みの高速化を図った半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 半導体記憶装置は、互いに平行に配置された複数のデータ選択線、これらのデータ選択線と交差するように互いに平行に配置された複数のデータ転送線、及びこれらのデータ選択線とデータ転送線の各交差部に配置された電気的書き換え可能なメモリセルを有するメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ選択線を駆動するデータ選択線ドライバと、前記メモリセルアレイのデータ転送線に接続されて、前記データ選択線の一つにより選択されたメモリセルのデータ読み出しを行うセンスアンプ回路と、前記メモリセルアレイのデータ読み出しのタイミング制御に用いられる、前記メモリセルアレイの選択されたデータ領域に応じて異なる少なくとも二種のタイミング信号を出力する制御回路とを有する。 【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
互いに平行に配置された複数のデータ選択線、これらのデータ選択線と交差するように互いに平行に配置された複数のデータ転送線、及びこれらのデータ選択線とデータ転送線の交差部に配置された電気的書き換え可能なメモリセルを有するメモリセルアレイと、 前記メモリセルアレイのデータ選択線を駆動するデータ選択線ドライバと、 前記メモリセルアレイのデータ転送線に接続されて、前記データ選択線の一つにより選択されたメモリセルのデータ読み出しを行うセンスアンプ回路と、 前記メモリセルアレイのデータ読み出しのタイミング制御に用いられる、前記メモリセルアレイの選択されたデータ領域に応じて異なる少なくとも二種のタイミング信号を出力する制御回路とを有する ことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (8)：
G11C16/02 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  G11C29/00 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (14)：
G11C17/00 601D ,  G11C29/00 603K ,  G11C29/00 631D ,  G11C17/00 613 ,  G11C17/00 634A ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 622A ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 639C ,  G11C17/00 639A ,  G11C17/00 639B ,  G11C17/00 622C ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
F-Term (69)：
5B025AA01 ,  5B025AC01 ,  5B025AC03 ,  5B025AD01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD13 ,  5B025AD15 ,  5B025AE05 ,  5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP27 ,  5F083EP55 ,  5F083EP75 ,  5F083EP76 ,  5F083EP79 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083GA01 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA06 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA58 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083MA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR09 ,  5F101BA01 ,  5F101BA29 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BC02 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD32 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BD36 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5L106AA10 ,  5L106BB12 ,  5L106CC04 ,  5L106CC08 ,  5L106CC11 ,  5L106CC17 ,  5L106CC21 ,  5L106CC32 ,  5L106GG05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-242258   Applicant：株式会社東芝
  • 孔版印刷機のインク乾燥システム
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-339453   Applicant：デュプロ精工株式会社, パール工業株式会社
  • 不揮発性半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-295268   Applicant：株式会社東芝
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Cited by examiner (6)
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