Pat
J-GLOBAL ID：200903013898012832

窒化物系半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
幡 俊雄

About 幡 俊雄

, 
木村 大覚

About 木村 大覚


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002113353
Publication number (International publication number)：2003309289
Application date： Apr. 16, 2002
Publication date： Oct. 31, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 エッチング量の制御を可能とし光出力が大きく信頼性の高い窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 保持用金属板9の上方に順次形成された第二導電型窒化物系半導体層6と発光層5と第一導電型窒化物系半導体層4とを含み、第一導電型窒化物系半導体層上に形成されたInを含むエッチングマーカー層3を含む窒化物系半導体発光素子であることを特徴としている。
Claim (excerpt)：
保持用金属板の上方に順次形成された第二導電型窒化物系半導体層と発光層と第一導電型窒化物系半導体層とを含み、第一導電型窒化物系半導体層上に形成されたInを含むエッチングマーカー層を含むことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/3065
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 103 ,  H01L 21/302 301 Z
F-Term (23)：
5F004AA02 ,  5F004CB15 ,  5F004CB18 ,  5F004DB19 ,  5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA91 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041DA16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM