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J-GLOBAL ID：200903014615747706

窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法

Inventor： 石田 昌宏
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 中島 司朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001014952
Publication number (International publication number)：2002222746
Application date： Jan. 23, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】面方位等の判別が容易な窒化物半導体ウェーハを提供すること。【解決手段】主面が(0001)面のGaN基板であって、<1-100>等価方向を判別するオリエンテーションフラットOF1を有する。

Claim (excerpt)：

主面が(0001)等価面であって、<1-100>等価方向を判別するしるしを有することを特徴とする窒化物半導体ウェーハ。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01S 5/02

FI (3)：

H01L 21/02 A ,  H01L 21/02 B ,  H01S 5/02

F-Term (7)：

5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA04 ,  5F073DA32 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35 ,  5F073HA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-143865   Applicant：松下電子工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-331797   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 拡散ウエーハの製造方法及びその拡散ウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-098495   Applicant：直江津電子工業株式会社, 信越半導体株式会社
• ノッチ付半導体ウエハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-141062   Applicant：日立電線株式会社
• 特開平4-014811
  
• ノッチレスウェーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-055995   Applicant：株式会社スーパーシリコン研究所
• 炭化ケイ素質ダミーウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-062614   Applicant：東洋炭素株式会社
• ノッチ付き半導体ウェーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-140106   Applicant：コマツ電子金属株式会社