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Pat
J-GLOBAL ID:200903014745178533

pチャネル電界効果トランジスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 清水 守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006339732
Publication number (International publication number):2007086088
Application date: Dec. 18, 2006
Publication date: Apr. 05, 2007
Summary:
【課題】水素と窒素の混合プラズマにより水素終端表面をアミノ化し、水素終端とアミノ終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしてなるpチャネル電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】pチャネル電界効果トランジスタにおいて、液体電解質20をゲートとして使用し、水素と窒素の混合プラズマにより水素終端13表面をアミノ化し、水素終端とアミノ終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとする。【選択図】図9
Claim (excerpt):
液体電解質をゲートとして使用し、水素と窒素の混合プラズマにより水素終端表面をアミノ化し、水素終端とアミノ終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしてなるpチャネル電界効果トランジスタ。
IPC (1):
G01N 27/414
FI (1):
G01N27/30 301K
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent:
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