フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法および半導体素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：荒船博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000287440
Publication number (International publication number)：2001133980
Application date： Sep. 21, 2000
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】フォトレジスト上部の酸により傾斜したパターンが形成され、I/Dバイアスが大きくなる点を解決できるフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】フォトレジスト組成物は、フォトレジスト樹脂と、光酸発生剤と、光塩基発生剤と、有機溶媒を含む。また、前記光塩基発生剤は下記式(1)の化合物、及び下記式(2)の化合物の中から選択されるのが好ましい。【化1】【化2】

Claim (excerpt)：

(a)フォトレジスト樹脂と、(b)光酸発生剤と、(c)光塩基発生剤と、(d)有機溶媒を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。

IPC (12)：

G03F 7/039 601 , C08F222/06 , C08K 5/02 , C08K 5/29 , C08K 5/32 , C08K 5/41 , C08L 35/00 , C08L101/00 , G03F 7/004 503 , G03F 7/004 , G03F 7/38 , H01L 21/027

FI (12)：

G03F 7/039 601 , C08F222/06 , C08K 5/02 , C08K 5/29 , C08K 5/32 , C08K 5/41 , C08L 35/00 , C08L101/00 , G03F 7/004 503 B , G03F 7/004 503 A , G03F 7/38 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-257756 Applicant：信越化学工業株式会社
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-093822 Applicant：株式会社日立製作所
特開平2-296250

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