デュアルドーパント接触層を有する発光ダイオード

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003347087
Publication number (International publication number)：2004282006
Application date： Oct. 06, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】デュアルドーパント接触層を有する発光ダイオードに関する。【解決手段】この発光ダイオードは、基板、基板上に形成された発光積層構造物、発光積層構造物上に形成されたデュアルドーパント接触層、及びデュアルドーパント接触層上に形成された透過導電性酸化層を有している。このデュアルドーパント接触層は、製作された後に、複数のp型及びn型ドーパントを有している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板; 前記基板上に形成された発光積層構造物; 前記発光積層構造物上に形成されたデュアルドーパント接触層;及び前記デュアルドーパント接触層上に形成された透過導電性酸化層; を備え、前記デュアルドーパント接触層は、複数のp型ドーパント及び複数のn型ドーパントを備えていることを特徴とする、発光ダイオード。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (2)：

H01L33/00 C , H01L33/00 E

F-Term (14)：

5F041AA03 , 5F041AA24 , 5F041CA05 , 5F041CA08 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA48 , 5F041CA53 , 5F041CA54 , 5F041CA55 , 5F041CA56 , 5F041CA57 , 5F041CA73 , 5F041CA88

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

米国特許第5、563、422号明細書
米国特許第6、078、064号明細書
台湾特許第144415号明細書

Cited by examiner (7)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-204931 Applicant：株式会社東芝
p型3族窒化物の結晶成長方法および製造方法、並びに半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-319949 Applicant：株式会社リコー
低抵抗p型GaN結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-258054 Applicant：科学技術振興事業団

Show all

Return to Previous Page