半導体発光素子及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998204931
Publication number (International publication number)：2000036616
Application date： Jul. 21, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】本願発明は、p層でのコンタクト抵抗の低減を目的とする。【解決手段】本願発明にかかる半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物からなり、所定の波長を有する光を発する活性層と、前記活性層内にキャリアを閉じ込めるためのクラッド層と、前記クラッド層に隣接して設けられたコンタクト層と、前記コンタクト層に所定の電位又は電流を供給する為の電極とを備え、前記クラッド層は、P型の不純物が添加されたGa<SB>1</SB> <SB>x</SB>Al<SB>x</SB>Nからなり、かつ、第一の組成比xは0<x<0. 5なる関係を満たし、前記コンタクト層は、P型の不純物が添加されたGa<SB>1</SB> <SB>y</SB>Al<SB>y</SB>Nからなり、かつ、第二の組成比yは0<y<xなる関係を満たす事を特徴とする。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物からなり、所定の波長を有する光を発する活性層と、前記活性層内にキャリアを閉じ込めるためのクラッド層と、前記クラッド層に隣接して設けられたコンタクト層と、前記コンタクト層に所定の電位又は電流を供給する為の電極と、を備え、前記クラッド層は、P型の不純物が添加されたGa<SB>1</SB> <SB>x</SB>Al<SB>x</SB>Nからなり、かつ、第一の組成比xは0<x<0. 5なる関係を満たし、前記コンタクト層は、P型の不純物が添加されたGa<SB>1</SB> <SB>y</SB>Al<SB>y</SB>Nからなり、かつ、第二の組成比yは0<y<xなる関係を満たす事を特徴とする半導体発光素子。

F-Term (5)：

5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA58 , 5F041CA98 , 5F041CA99

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-109114 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-009004 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-046202 Applicant：株式会社東芝

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