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J-GLOBAL ID:200903015636330704
プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の制御方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人第一国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004341723
Publication number (International publication number):2006156530
Application date: Nov. 26, 2004
Publication date: Jun. 15, 2006
Summary:
【課題】 プラズマ処理装置において、処理ごとに最適な真空容器内環境を提供する。【解決手段】 真空容器1と、第1の高周波電源4と、第2の高周波電源21と、第3の高周波電源25と、第1の高周波電源からの第1の高周波電圧および第3の高周波電源からの第3の高周波電圧が混合されて供給される真空容器内に設けた第1の電極2と、上面に試料12が載置され第2の高周波電源からの第2の高周波電圧が供給される真空容器内に設けた第2の電極14と、第2の高周波電圧と第3の高周波電圧の位相差を制御する位相制御装置26とを備えるプラズマ処理装置であって、第2の高周波電圧と第3の高周波電圧は同一の周波数であり、第1の電極の第3の高周波電圧の位相を検出する第1の位相検出手段32と、第2の電極の第2の高周波電圧の位相を検出する第2の位相検出手段31とを備え、第1の位相検出手段と第2の位相検出手段の出力に基づいて、第2の高周波電圧および第3の高周波電圧の位相差を制御する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
容器内にプラズマが生成される真空容器と、該真空容器外に設けた第1の高周波電源および第2の高周波電源ならびに第3の高周波電源と、第1の高周波電源からの第1の高周波電圧が供給される真空容器内または真空容器外に設けた第1の電極と、上面に試料が載置され第2の高周波電源からの第2の高周波電圧が供給される真空容器内に設けた第2の電極と、第2の高周波電圧と第3の高周波電源からの第3の高周波電圧の位相差を制御する位相制御装置とを備えるプラズマ処理装置であって、
前記第2の電極以外に真空容器内に生成されるプラズマと容量結合するRF放射部を構成し、前記第2の電極とRF放射部との間に同一周波数で位相信号以外の信号源を用いて前記第2の高周波電圧および第3の高周波電圧の位相差を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3):
H01L 21/306
, H05H 1/00
, H05H 1/46
FI (4):
H01L21/302 101B
, H05H1/00 A
, H05H1/46 L
, H05H1/46 M
F-Term (11):
5F004AA15
, 5F004BA09
, 5F004BA14
, 5F004BD01
, 5F004BD04
, 5F004BD05
, 5F004CA03
, 5F004CB02
, 5F004CB06
, 5F004DA00
, 5F004DA26
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-308765
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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プラズマ処理装置および方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-275893
Applicant:株式会社日立製作所
-
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-268095
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
-
半導体製造装置および処理方法、およびウエハ電位プローブ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-054552
Applicant:株式会社日立製作所
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Cited by examiner (10)
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プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-268095
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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プラズマエッチング装置及びエッチング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-272755
Applicant:広島日本電気株式会社
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プラズマ処理装置およびその制御方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-312683
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
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半導体製造装置および処理方法、およびウエハ電位プローブ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-054552
Applicant:株式会社日立製作所
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特開平3-162583
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プラズマ処理方法及び処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-038730
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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低圧誘導結合プラズマ点火装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-263351
Applicant:エルエスアイロジックコーポレーション
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プラズマ生成装置用高周波電源装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-180730
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-072575
Applicant:株式会社日立製作所, 日立笠戸エンジニアリング株式会社, 日立テクノエンジニアリング株式会社
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処理装置及びそのクリーニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-240292
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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