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J-GLOBAL ID：200903016121514183

半導体装置及び有機ELディスプレイ装置

Inventor： 山内 幸夫 ,  荒井 三千男
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社 ,  株式会社半導体エネルギー研究所
Agent (1)： 山谷 晧榮 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997053243
Publication number (International publication number)：1998254383
Application date： Mar. 07, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】有機ELディスプレイ装置の微細化、高解像度化をはかるための半導体装置を提供すること。【解決手段】ソース領域105、ドレイン領域107、ゲート電極104を具備する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線との間に、上に窒化チタン薄膜を積層したタングステンよりなるバリアメタル108を設けることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ソース・ドレイン及びゲートを具備する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線との間に、上に窒化チタン薄膜を積層したタングステンよりなるバリアメタルを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

G09F 9/30 365 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/26

FI (3)：

G09F 9/30 365 C ,  H05B 33/26 ,  H01L 29/78 613 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-326812   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-186091   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-051376   Applicant：日本電装株式会社
• 半導体装置の配線接続構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-291296   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-124455   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-081321   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 薄膜半導体装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-291179   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置、その製造方法及び反射型液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-184946   Applicant：川崎製鉄株式会社, パイオニアビデオ株式会社, パイオニア株式会社