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J-GLOBAL ID：200903016121514183

半導体装置及び有機ELディスプレイ装置

Inventor： 山内 幸夫 ,  荒井 三千男
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社 ,  株式会社半導体エネルギー研究所
Agent (1)： 山谷 晧榮 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997053243
Publication number (International publication number)：1998254383
Application date： Mar. 07, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】有機ELディスプレイ装置の微細化、高解像度化をはかるための半導体装置を提供すること。【解決手段】ソース領域105、ドレイン領域107、ゲート電極104を具備する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線との間に、上に窒化チタン薄膜を積層したタングステンよりなるバリアメタル108を設けることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ソース・ドレイン及びゲートを具備する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線との間に、上に窒化チタン薄膜を積層したタングステンよりなるバリアメタルを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

G09F 9/30 365 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/26

FI (3)：

G09F 9/30 365 C ,  H05B 33/26 ,  H01L 29/78 613 Z