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J-GLOBAL ID:200903016750461793

発光素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001226698
Publication number (International publication number):2003046124
Application date: Jul. 26, 2001
Publication date: Feb. 14, 2003
Summary:
【要約】【課題】 簡略化された工程にて蛍光体部を製造することによって量産化を図り、製造コストを低減するとともに、蛍光体部の品質を均一化することによって、発光部ごと、製品ごとの色ばらつき、光量ばらつきが低減された発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 透光性基板100の一方の面に、n型半導体層101、p型半導体層102、発光層103、p側電極104、n側電極105からなる発光ダイオードを設けて、透光性基板100の発光ダイオードが形成されたのとは反対側の面には、波長変換物質である蛍光体200を分散した樹脂201が塗布、結着されている。この蛍光体200は、当該発光ダイオードから発せられる光を吸収して、その補色の光を放出するような蛍光体である。
Claim (excerpt):
透光性基板と、前記透光性基板の一方の面上に積層して発光する化合物半導体と、前記透光性基板の他方の面上に設けられて前記化合物半導体の発光によって励起され、励起波長と異なる波長の光を放射する波長変換物質と前記化合物半導体または波長変換物質の発光の一部を吸収する光吸収体とのうち少なくとも一方を含む層とを備えたことを特徴とする発光素子。
FI (2):
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 N
F-Term (9):
5F041AA05 ,  5F041AA09 ,  5F041AA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA01 ,  5F041DA07 ,  5F041DA36 ,  5F041FF11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
  • 発光ダイオード素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-249020   Applicant:株式会社シチズン電子
  • 発光素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-192406   Applicant:日本酸素株式会社
  • 半導体発光装置及びその製法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-006423   Applicant:サンケン電気株式会社
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