Pat
J-GLOBAL ID:200903017693413562
偏光設計の方法およびそれらの適用例
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (7):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2009516572
Publication number (International publication number):2009541742
Application date: Jun. 21, 2007
Publication date: Nov. 26, 2009
Summary:
非常に強い縦場を作り出すのに用いられ得るユニークな焦点特性を有する特別な偏光状態が生成される。表面プラズモン励起と組合せると、これらの偏光状態は、無開口近接場スキャニング光学顕微鏡検査システムにおいて用いられ得る。ラジアル偏光ビームが、金属コーティングされる、テーパが設けられた無開口チップを含むプラズモン生成光学ファイバの中に方向付けされる。無開口チップは、ラジアル偏光ビームがプラズモン生成光学ファイバに沿って伝播すると、表面プラズモン波を励起し、当該表面プラズモン波をチップに方向付けする。対物レンズがこの無開口の近傍に位置決めされる試料からの近接場光学信号を収集する。無開口NSOMの潜在的な空間分解能は10nmを超え得る。このような強い場の増強により、10nmを超える分解能で、試料の機械的および化学的組成を計測し得る信頼性のあるナノラマンシステムの開発を可能にする。
Claim (excerpt):
ビーム生成アセンブリと、光学顕微鏡アセンブリと、信号検出アセンブリとを含む光学システムであって、
前記ビーム生成アセンブリはレーザ源を含むとともに、前記レーザ源からのレーザ出力を、前記光学顕微鏡アセンブリへの入力としてラジアル偏光ビームに変換するよう構成され、
前記光学顕微鏡アセンブリはプラズモン生成光学ファイバと対物レンズとを含み、前記ビーム生成アセンブリは、前記ラジアル偏光ビームを前記光学顕微鏡アセンブリの前記プラズモン生成光学ファイバの中に方向付けするよう構成され、
前記プラズモン生成光学ファイバは、尖部を規定する金属コーティングされた、テーパが設けられた無開口チップを含み、
前記無開口チップは、ラジアル偏光ビームが前記ビーム生成アセンブリから前記チップの前記尖部の方向に前記プラズモン生成光学ファイバに沿って伝播すると、表面プラズモン波を励起するとともに前記チップの前記尖部に対して前記表面プラズモン波を方向付けするよう構成され、
前記対物レンズは前記無開口チップの前記尖部の近傍に位置決めされる試料から近接場光学信号を収集するとともに、前記近接場光学信号を前記信号検出アセンブリに方向付けするよう構成される、光学システム。
IPC (6):
G01N 13/14
, G02F 1/35
, G02B 5/30
, G01N 13/10
, G01N 21/65
, G02B 21/00
FI (9):
G01N13/14 101
, G02F1/35 502
, G02B5/30
, G01N13/10 151B
, G01N13/10 121A
, G01N13/10 111L
, G01N13/10 111J
, G01N21/65
, G02B21/00
F-Term (41):
2G043BA16
, 2G043CA05
, 2G043EA03
, 2G043FA01
, 2G043FA02
, 2G043GA01
, 2G043GB01
, 2G043HA01
, 2G043HA05
, 2G043HA07
, 2G043HA09
, 2G043HA12
, 2G043JA01
, 2G043KA02
, 2G043KA05
, 2G043KA09
, 2G043LA02
, 2G043LA03
, 2H052AA01
, 2H052AA07
, 2H052AB02
, 2H052AC04
, 2H052AC05
, 2H052AC14
, 2H052AC15
, 2H052AC34
, 2H052AF07
, 2H052AF10
, 2H052AF14
, 2H052AF25
, 2H149AA22
, 2H149AB11
, 2H149BA02
, 2H149BA04
, 2H149BA29
, 2H149EA03
, 2K002AA04
, 2K002AB40
, 2K002BA03
, 2K002GA10
, 2K002HA23
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (17)
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SPRセンサーおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-351606
Applicant:科学技術振興事業団, 財団法人神奈川科学技術アカデミー, 日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
-
光学ヘッド及び記録再生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-350539
Applicant:ソニー株式会社
-
光学系
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2006-548558
Applicant:コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
-
特開平2-300709
-
光学プローブ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-215895
Applicant:河田聡
-
放射偏光光学構造及びそれを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-271288
Applicant:カール・ツアイス・スティフツング
-
光ファイバプローブ、その製造方法及び薄膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-262923
Applicant:財団法人神奈川科学技術アカデミー
-
走査型近接場光学顕微鏡
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-058013
Applicant:セイコーインスツルメンツ株式会社
-
光ファイバープローブ評価方法、光ファイバープローブ評価装置、近接場光学顕微鏡、及び近接場光加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-004477
Applicant:株式会社豊田中央研究所
-
光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッドの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-395169
Applicant:富士ゼロックス株式会社
-
プラズモンを用いた記録再生ヘッドおよびその作製法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-068605
Applicant:株式会社日立製作所
-
走査型近接場光学顕微鏡
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-150901
Applicant:オリンパス光学工業株式会社
-
強誘電体結晶の評価方法および評価装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-340177
Applicant:富士通株式会社
-
光メモリ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-226708
Applicant:株式会社リコー
-
散乱型近接場顕微鏡およびその測定方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-272875
Applicant:エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社, 独立行政法人理化学研究所
-
偏光制御素子とその製造方法、並びに、顕微鏡
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-010193
Applicant:ナノフォトン株式会社
-
反射散乱型ジオメトリを用いた無開口近接場走査型ラマン顕微鏡法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-567789
Applicant:ナショナルユニバーシティオブシンガポール
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Article cited by the Patent:
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